| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2011-01-19 14:15
紫外光照射下における酸化チタン薄膜の電子的特性 ○渡辺悠介・村本裕二・清水教之(名城大) OME2010-66 |
| 抄録 |
(和) |
酸化チタン(TiO2)は紫外光を吸収することで、光触媒として働く。これは紫外光によって価電子帯の電子が伝導帯に励起されると同時に正孔が生成され、これら電子と正孔が表面で酸化、還元反応を起こすことによる。従って光触媒活性とTiO2の電子的特性(抵抗率、キャリア密度、移動度)は密接に関係すると考えられる。本研究では紫外光を照射した時に、アナターゼ型TiO2の抵抗率とホール電圧を測定し、電子的特性を求めることを試みた。TiO2の抵抗率は、紫外光強度が増加するにつれて減少した。紫外光を照射していない時は電流が小さく、測定できなかった。即ち、抵抗率は測定レンジ以上であった。ホール電圧の測定値は、不安定であった。これは、ホール電圧に対する電子と正孔の寄与が、お互いに相殺し合うためと考えられる。より詳細な検討から、電子の移動度と正孔の移動度の値が近い、つまりμe≒μhであることが示唆された。 |
| (英) |
TiO2 has photocatalysis. When UV light irradiated, electron-hole pairs are generated in TiO2. The source of photocatalysis is oxidation and reduction reactions due to electrons and holes at the surface. In this paper, we tried to obtain the electronic properties such as resistivity, carrier density and mobility in anatase TiO2 thin films under UV light irradiation. The resistivity decreased with UV light intensity. Without UV light irradiation, the resistivity was high and over the measuring range. The measured values of the Hall voltage were not stable. We consider contributions to the Hall voltage of electrons and holes are canceled each other as in an intrinsic semiconductor. We consider the values of electron mobility and hole mobility are close as the reason for unstable behavior of Hall voltage. |
| キーワード |
(和) |
TiO2 / 光触媒 / 抵抗率 / ホール電圧 / キャリア密度 / 移動度 / / |
| (英) |
TiO2 / photoctalysis / resistivity / Hall voltage / carrier density / mobility / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 365, OME2010-66, pp. 39-43, 2011年1月. |
| 資料番号 |
OME2010-66 |
| 発行日 |
2011-01-12 (OME) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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