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講演抄録/キーワード
講演名 2011-01-20 13:00
Nd:YAGレーザ誘起インパルス応力波の創発に関する理論的検討
得永嘉昭吉村政俊西脇基晃會澤康治小木美恵子金沢工大US2010-96
抄録 (和) 細胞膜への遺伝子導入のための創発的インパルス応力波に関する理論的な検討を試みた。光エネルギ源は最大ピークエネルギ: 200[mJ/pulse], パルス幅: 約10[ns], 波長: 532[nm]のラボ対応型Qスイッチ対応のNd:YAGパルスレーザを使用した場合を想定した。創発的インパルス応力波はレーザ光を透明シート下に接着させた吸熱性表面吸収材料に照射して形成させる場合を考えた。計測された創発的インパルス応力波の時間的プロファウルの構成部分について説明を試みた。 
(英) In this paper, we describe theoretical discussions on emergent impulse stress wave(EISW) for gene transfection into a cell membrane. Q-switched Nd:YAG pulse laser with peak intensity 200[mJ/pulse], pulse duration about 10[ns], wave length 532[nm], was used for creation of it on endothermic surface absorbing material. Constitute parts of temporal profile of the EISW were also discussed.
キーワード (和) 創発的インパルス応力波 / 天然ゴム / QスイッチNd:YAGレーザ / アブレーション / プラズマ / / /  
(英) Emergent impulse stress wave / Natural rubber / Q-switched Nd:YAG pulse laser / Laser ablation / Laser plasma / / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 366, US2010-96, pp. 25-30, 2011年1月.
資料番号 US2010-96 
発行日 2011-01-13 (US) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード US2010-96

研究会情報
研究会 EA US  
開催期間 2011-01-20 - 2011-01-21 
開催地(和) 同志社大学京田辺キャンパス医心館 N-A, N-B 
開催地(英) Doshisha Univ. 
テーマ(和) <音響・超音波サブソサイエティ合同研究会> テーマ:一般(応用/電気音響・超音波) 
テーマ(英) [Joint Meeting on Acoustics and Ultrasonics Subsociety] Engineering/Electro Acoustics, Ultrasonic and Underwater Acoustics,and Related Topics 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 US 
会議コード 2011-01-EA-US 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Nd:YAGレーザ誘起インパルス応力波の創発に関する理論的検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Theoretical Discussions on Emergent Impulse Stress Wave induced by Double Frequency Q switched Nd:YAG Pulsed Laser 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 創発的インパルス応力波 / Emergent impulse stress wave  
キーワード(2)(和/英) 天然ゴム / Natural rubber  
キーワード(3)(和/英) QスイッチNd:YAGレーザ / Q-switched Nd:YAG pulse laser  
キーワード(4)(和/英) アブレーション / Laser ablation  
キーワード(5)(和/英) プラズマ / Laser plasma  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 得永 嘉昭 / Yoshiaki Tokunaga / トクナガ ヨシアキ
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉村 政俊 / Masatoshi Yoshimura / ヨシムラ マサトシ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 西脇 基晃 / Motoaki Nishiwaki /
第3著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 會澤 康治 / Koji Aizawa / アイザワ コウジ
第4著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小木 美恵子 / Mieko Kogi / コギ ミエコ
第5著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-01-20 13:00:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 US 
資料番号 US2010-96 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.366 
ページ範囲 pp.25-30 
ページ数
発行日 2011-01-13 (US) 


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