講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-01-25 13:45
ミリ波帯電力増幅器応用のデバイスモデリング技術 ○丘 維礼・永石英幸・古後健治・大西正巳・小川貴史(日立) CAS2010-87 |
抄録 |
(和) |
応用周波数の波長に対して物理的大きさが重要であるデバイス,たとえばミリ波応用のGaAs pHEMT,をモデル化する場合に,測定データからデバイス周辺構造の効果をディエムベッドすることが課題である.従来の方法では分布定数回路効果を取り除くのが困難のためである.課題解決のため,本研究では周辺構造を電磁気解析でモデル化する方法を検討した.提案方法による4並列pHEMTデバイスのモデル化,およびこのデバイスから構成された1段アンプの小信号・大信号性能によるモデル精度検証の結果を報告する. |
(英) |
Modeling of devices that have significant physical sizes compared to the wavelength of the application frequency, such as in the case of GaAs devices for millimeter-wave applications, faces a problem when de-embedding the intrinsic device characteristics from the probing pads and ground structures. Distributed-circuit effects are difficult to remove by previous methods. A method based on electromagnetic field analysis of passive embedding structures has been investigated. The modeling of a 4-parallel-pHEMT device using the proposed method and verification of the method’s accuracy from the small and large signal performances of a test amplifier are described. |
キーワード |
(和) |
ディエムベッド / GaAs pHEMT / 電磁気解析 / モデル化 / ミリ波 / 電力アンプ / / |
(英) |
de-embedding / GaAs pHEMT / EM analysis / modeling / millimeter-wave / power amplifier / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 110, no. 389, CAS2010-87, pp. 17-21, 2011年1月. |
資料番号 |
CAS2010-87 |
発行日 |
2011-01-18 (CAS) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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CAS2010-87 |