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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-01-25 13:45 ミリ波帯電力増幅器応用のデバイスモデリング技術 ○丘 維礼・永石英幸・古後健治・大西正巳・小川貴史（日立）  CAS2010-87 |
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| 抄録 | （和） | 応用周波数の波長に対して物理的大きさが重要であるデバイス，たとえばミリ波応用のGaAs pHEMT，をモデル化する場合に，測定データからデバイス周辺構造の効果をディエムベッドすることが課題である．従来の方法では分布定数回路効果を取り除くのが困難のためである．課題解決のため，本研究では周辺構造を電磁気解析でモデル化する方法を検討した．提案方法による４並列pHEMTデバイスのモデル化，およびこのデバイスから構成された１段アンプの小信号・大信号性能によるモデル精度検証の結果を報告する． |
| （英） | Modeling of devices that have significant physical sizes compared to the wavelength of the application frequency, such as in the case of GaAs devices for millimeter-wave applications, faces a problem when de-embedding the intrinsic device characteristics from the probing pads and ground structures. Distributed-circuit effects are difficult to remove by previous methods. A method based on electromagnetic field analysis of passive embedding structures has been investigated. The modeling of a 4-parallel-pHEMT device using the proposed method and verification of the method’s accuracy from the small and large signal performances of a test amplifier are described. | |
| キーワード | （和） | ディエムベッド / GaAs pHEMT / 電磁気解析 / モデル化 / ミリ波 / 電力アンプ / / |
| （英） | de-embedding / GaAs pHEMT / EM analysis / modeling / millimeter-wave / power amplifier / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 389, CAS2010-87, pp. 17-21, 2011年1月. | |
| 資料番号 | CAS2010-87 | |
| 発行日 | 2011-01-18 (CAS) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CAS2010-87 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CAS |
| 開催期間 | 2011-01-25 - 2011-01-26 |
| 開催地（和） | 熊本大学 |
| 開催地（英） | Kumamoto University |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CAS |
| 会議コード | 2011-01-CAS |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | ミリ波帯電力増幅器応用のデバイスモデリング技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device Modeling for Millimeter-wave Power Amplifiers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ディエムベッド / de-embedding |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs pHEMT / GaAs pHEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 電磁気解析 / EM analysis |
| キーワード(4)（和/英） | モデル化 / modeling |
| キーワード(5)（和/英） | ミリ波 / millimeter-wave |
| キーワード(6)（和/英） | 電力アンプ / power amplifier |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丘 維礼 / Willy Hioe / ヒュー ウィリー |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd (略称： Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永石 英幸 / Hideyuki Nagaishi / ナガイシ ヒデユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd (略称： Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古後 健治 / Kenji Kogo / コゴ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd (略称： Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大西 正巳 / Masami Onishi / オオニシ マサミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd (略称： Hitachi) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 貴史 / Takashi Ogawa / オガワ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd (略称： Hitachi) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-01-25 13:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CAS |
| 資料番号 | CAS2010-87 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.389 |
| ページ範囲 | pp.17-21 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-01-18 (CAS) |
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