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講演抄録/キーワード
講演名 2011-01-25 13:45
ミリ波帯電力増幅器応用のデバイスモデリング技術
丘 維礼永石英幸古後健治大西正巳小川貴史日立CAS2010-87
抄録 (和) 応用周波数の波長に対して物理的大きさが重要であるデバイス,たとえばミリ波応用のGaAs pHEMT,をモデル化する場合に,測定データからデバイス周辺構造の効果をディエムベッドすることが課題である.従来の方法では分布定数回路効果を取り除くのが困難のためである.課題解決のため,本研究では周辺構造を電磁気解析でモデル化する方法を検討した.提案方法による4並列pHEMTデバイスのモデル化,およびこのデバイスから構成された1段アンプの小信号・大信号性能によるモデル精度検証の結果を報告する. 
(英) Modeling of devices that have significant physical sizes compared to the wavelength of the application frequency, such as in the case of GaAs devices for millimeter-wave applications, faces a problem when de-embedding the intrinsic device characteristics from the probing pads and ground structures. Distributed-circuit effects are difficult to remove by previous methods. A method based on electromagnetic field analysis of passive embedding structures has been investigated. The modeling of a 4-parallel-pHEMT device using the proposed method and verification of the method’s accuracy from the small and large signal performances of a test amplifier are described.
キーワード (和) ディエムベッド / GaAs pHEMT / 電磁気解析 / モデル化 / ミリ波 / 電力アンプ / /  
(英) de-embedding / GaAs pHEMT / EM analysis / modeling / millimeter-wave / power amplifier / /  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 389, CAS2010-87, pp. 17-21, 2011年1月.
資料番号 CAS2010-87 
発行日 2011-01-18 (CAS) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CAS2010-87

研究会情報
研究会 CAS  
開催期間 2011-01-25 - 2011-01-26 
開催地(和) 熊本大学 
開催地(英) Kumamoto University 
テーマ(和) 一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CAS 
会議コード 2011-01-CAS 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) ミリ波帯電力増幅器応用のデバイスモデリング技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Device Modeling for Millimeter-wave Power Amplifiers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ディエムベッド / de-embedding  
キーワード(2)(和/英) GaAs pHEMT / GaAs pHEMT  
キーワード(3)(和/英) 電磁気解析 / EM analysis  
キーワード(4)(和/英) モデル化 / modeling  
キーワード(5)(和/英) ミリ波 / millimeter-wave  
キーワード(6)(和/英) 電力アンプ / power amplifier  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 丘 維礼 / Willy Hioe / ヒュー ウィリー
第1著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd (略称: Hitachi)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 永石 英幸 / Hideyuki Nagaishi / ナガイシ ヒデユキ
第2著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd (略称: Hitachi)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 古後 健治 / Kenji Kogo / コゴ ケンジ
第3著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd (略称: Hitachi)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大西 正巳 / Masami Onishi / オオニシ マサミ
第4著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd (略称: Hitachi)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 貴史 / Takashi Ogawa / オガワ タカシ
第5著者 所属(和/英) 日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd (略称: Hitachi)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-01-25 13:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CAS 
資料番号 CAS2010-87 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.389 
ページ範囲 pp.17-21 
ページ数
発行日 2011-01-18 (CAS) 


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