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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-01-28 14:35 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価 ○五十嵐航平・石岡 亮（埼玉大）・塚田悠介（埼玉大/理研）・福田武司・本多善太郎（埼玉大）・平山秀樹（埼玉大/理研）・鎌田憲彦（埼玉大）  EID2010-31 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2010-31 |
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| 抄録 | （和） | 波長200nm台の深紫外発光用AlGaN系結晶を高効率化するため，MOCVD成長温度880℃と920℃，Inフローの有無という2つの観点から，4量子井戸試料のフォトルミネッセンス（PL）評価を行った．PLスペクトル，積分PL強度の温度依存性，励起強度依存性の測定から，成長温度880℃でInフロー有りの試料が比較的高効率であることがわかった．励起強度を増すと非発光再結合準位が飽和し，内部量子効率は増加する傾向となる．レート方程式を用いた近似的な扱いにより非発光再結合定数Aを求めたところ，4桁以上のキャリア密度の変化に対してAは数倍程度の範囲内に収まる結果となり，この扱いが比較的有効であることが示された．内部量子効率の改善には，結晶成長条件の最適化，およびInの微量添加効果の利用が有望と考えられる． |
| （英） | In order to improve the quality of AlGaN-based crystals for deep-UV light emission, we studied photoluminescence (PL) of four MOCVD-grown AlGaN quantum wells from standpoints of growth temperature and In incorporation. A growth at 880℃ with In flow was shown to be best among them based on the comparative measurements on PL spectra, temperature and excitation density dependence. With increasing excitation density, a saturation of nonradiative recombination centers takes place and increases internal quantum efficiency. A simplified rate-equation analysis yielded weak carrier density dependence of nonradiative recombination constant for each sample. Detailed optimization of growth condition with a minute In incorporation is promising for improving the internal quantum efficiency. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / 深紫外発光 / 量子井戸 / 非発光再結合準位 / / / / |
| （英） | AlGaN / Deep Ultraviolet Emission / Quantum well / Nonradiative recombination center / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 404, EID2010-31, pp. 41-44, 2011年1月. | |
| 資料番号 | EID2010-31 | |
| 発行日 | 2011-01-21 (EID) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2010-31 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2010-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID ITE-IDY IEE-EDD IEIJ-SSL |
| 開催期間 | 2011-01-28 - 2011-01-29 |
| 開催地（和） | 高知工科大学 研究教育棟B |
| 開催地（英） | Kochi University of Technology |
| テーマ（和） | 発光型／非発光型ディスプレイ |
| テーマ（英） | Display technology, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2011-01-EID-IDY-EDD-OMD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoluminescence Characterization of AlGaN-Based Crystals for Deep Ultraviolet Region |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 深紫外発光 / Deep Ultraviolet Emission |
| キーワード(3)（和/英） | 量子井戸 / Quantum well |
| キーワード(4)（和/英） | 非発光再結合準位 / Nonradiative recombination center |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 五十嵐 航平 / Kouhei Igarashi / |
| 第1著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石岡 亮 / Ryo Ishioka / |
| 第2著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚田 悠介 / Yusuke Tsukada / |
| 第3著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大/理研) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 武司 / Takeshi Fukuda / |
| 第4著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本多 善太郎 / Zentaro Honda / |
| 第5著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / |
| 第6著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 埼玉大/理研) The Institute of Physical and Chemical Research (略称： RIKEN) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌田 憲彦 / Norihiko Kamata / |
| 第7著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-01-28 14:35:00 |
| 発表時間 | 5分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2010-31 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.404 |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-01-21 (EID) |
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