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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-01-28 10:50 InP/InGaAs新構造Avalanche Photodiodeの高増倍率動作 ○名田允洋・村本好史・横山春喜・重川直輝・児玉 聡（NTT）  PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142 |
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| 抄録 | （和） | アバランシェフォトダイオード (APD)は，一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし，信頼性を確保するため，素子内部にのみ電界を閉じ込める構造が必要である．これを実現するために，これまでにイオン注入や選択拡散など，複雑な作製工程を必要とする構造が提案されている．我々は，より簡易なプロセスでこの電界閉じ込めを実現可能な新構造のAPD を考案し，作製した素子で高い電界閉じ込め効果を確認するとともに，従来素子と比較して遜色ない特性を得た |
| （英） | Due to higher voltage operation than that of conventional photodiodes (PDs), electrical field need to be confined inside the device for highly reliable avalanche photodiodes (APDs). To improve their reliability, several device structures with using selective diffusion or ion implantation techniques have been demonstrated. However, they make their fabrication processes complex. This paper describes a new structure of APD that highly confines electric field inside the device, which is fabricated by simpler processes. Fabricated APD has comparable characteristics to the conventional APDs. |
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| キーワード | （和） | アバランシェフォトダイオード / ガードリングフリー / メサ構造 / 高増倍率動作 / / / / |
| （英） | Avalanche photodiode / guard-ring free / mesa structure / high-gain operation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 395, OPE2010-157, pp. 103-106, 2011年1月. | |
| 資料番号 | OPE2010-157 | |
| 発行日 | 2011-01-20 (PN, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE EMT LQE PN IEE-EMT |
| 開催期間 | 2011-01-27 - 2011-01-28 |
| 開催地（和） | 大阪大学 |
| 開催地（英） | Osaka Univ. |
| テーマ（和） | フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶・ファイバとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2011-01-OPE-EMT-LQE-PN-EMT |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InP/InGaAs新構造Avalanche Photodiodeの高増倍率動作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-gain operation of avalanche photodiodes with InP/InGaAs new structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | アバランシェフォトダイオード / Avalanche photodiode |
| キーワード(2)（和/英） | ガードリングフリー / guard-ring free |
| キーワード(3)（和/英） | メサ構造 / mesa structure |
| キーワード(4)（和/英） | 高増倍率動作 / high-gain operation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 名田 允洋 / Masahiro Nada / ナダ マサヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村本 好史 / Yoshifumi Muramoto / ムラモト ヨシフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 春喜 / Haruki Yokoyama / ヨコヤマ ハルキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa / シゲカワ ナオテル |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 児玉 聡 / Satoshi Kodama / コダマ サトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-01-28 10:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | PN2010-44, OPE2010-157, LQE2010-142 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.394(PN), no.395(OPE), no.396(LQE) |
| ページ範囲 | pp.103-106 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-01-20 (PN, OPE, LQE) |
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