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講演抄録/キーワード
講演名 2011-02-07 14:10
光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線
佐藤元伸富士通/JST/産総研)・小川修一東北大/JST)・池永英司高輝度光科学研究センター/JST)・高桑雄二東北大/JST)・二瓶瑞久富士通/JST/産総研)・横山直樹産総研SDM2010-222
抄録 (和) Cuに代わる新たなLSI配線材料として、多層グラフェンを検討している。多層グラフェンはCuより低い抵抗率、高い熱伝導率、高い電流密度耐性を有することが期待される。LSI応用のためには、成長温度400℃程度、かつ厚い触媒を用いない条件下で、高品質な多層グラフェンを得る技術が必要である。光電子制御プラズマCVD法は、触媒を用いずに直接絶縁膜上に成膜できる方法として期待される。ここでは、この成膜方法によりシリコン酸化膜上に直接成膜したカーボン膜の構造、配線加工プロセスとその電気特性、電流耐性、熱的安定性について、また、低抵抗化について報告する。 
(英) Carbon-based materials, such as carbon nanotubes and graphene nanoribbons, have been studied as interconnect materials because of their lower resistivity, higher thermal conductivity, and intrinsically higher current carrying capacity compared with Cu. We have proposed a photoemission-assisted plasma-enhanced CVD method as a way to fabricate multilayer graphene for interconnects. We have succeeded in growing Networked-Nanographite films and fabricating Networked-Nanographite wires on dielectric layers without any metal catalysts. In this study, we investigated the electrical properties and the reliability, such as current tolerance and thermal stability. Also, we investigated the way the resistivity decreases.
キーワード (和) 光電子制御プラズマCVD / 多層グラフェン / グラファイト / カーボン / 配線 / エレクトロマイグレーション / 熱的安定性 / 信頼性  
(英) Photoemission Plasma CVD / Multilayer graphene / Graphite / Carbon / Interconnect / Electromigration / Thermal stability / Reliability  
文献情報 信学技報, vol. 110, no. 408, SDM2010-222, pp. 37-42, 2011年2月.
資料番号 SDM2010-222 
発行日 2011-01-31 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2010-222

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-02-07 - 2011-02-07 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 配線・実装技術と関連材料技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-02-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Networked-Nanographite Wire Grown by Metal-Photoemission-assisted Plasma-enhanced CVD without Catalysts 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 光電子制御プラズマCVD / Photoemission Plasma CVD  
キーワード(2)(和/英) 多層グラフェン / Multilayer graphene  
キーワード(3)(和/英) グラファイト / Graphite  
キーワード(4)(和/英) カーボン / Carbon  
キーワード(5)(和/英) 配線 / Interconnect  
キーワード(6)(和/英) エレクトロマイグレーション / Electromigration  
キーワード(7)(和/英) 熱的安定性 / Thermal stability  
キーワード(8)(和/英) 信頼性 / Reliability  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 元伸 / Motonobu Sato / サトウ モトノブ
第1著者 所属(和/英) 富士通株式会社/科学技術振興機構/産業技術総合研究所 (略称: 富士通/JST/産総研)
Fujitsu Ltd./JST/AIST (略称: Fujitsu Ltd./JST/AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 修一 / Shuichi Ogawa / オガワ シュウイチ
第2著者 所属(和/英) 東北大学/科学技術振興機構 (略称: 東北大/JST)
Tohoku University/JST (略称: Tohoku Univ./JST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 池永 英司 / Eiji Ikenaga / イケナガ エイジ
第3著者 所属(和/英) 高輝度光科学研究センター/科学技術振興機構 (略称: 高輝度光科学研究センター/JST)
JASRI/JST (略称: JASRI/JST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高桑 雄二 / Yuji Takakuwa / タカクワ ユウジ
第4著者 所属(和/英) 東北大学/科学技術振興機構 (略称: 東北大/JST)
Tohoku University/JST (略称: Tohoku Univ./JST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 二瓶 瑞久 / Mizuhisa Nihei / ニヘイ ミズヒサ
第5著者 所属(和/英) 富士通株式会社/科学技術振興機構/産業技術総合研究所 (略称: 富士通/JST/産総研)
Fujitsu Ltd./JST/AIST (略称: Fujitsu Ltd./JST/AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 直樹 / Naoki Yokoyama / ヨコヤマ ナオキ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
AIST (略称: AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-02-07 14:10:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2010-222 
巻番号(vol) vol.110 
号番号(no) no.408 
ページ範囲 pp.37-42 
ページ数
発行日 2011-01-31 (SDM) 


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