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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-02-07 15:55 新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜(k<3.5) ○宇佐美達矢・小林千香子・三浦幸男（ルネサス エレクトロニクス）・永野修次（大陽日酸）・大音光市（ルネサス エレクトロニクス）・清水秀治（大陽日酸）・加田武史・大平達也（トリケミカル研）・藤井邦宏（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2010-225 |
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| 抄録 | （和） | 今回、CuバリアLow-k膜として、新プリカーサーであるDiBDMS (Di-iso-Buthyl DiMethyl Silane)を用いたSiC膜を28nmノード以降のデバイス対応に開発した。この技術を用い、3.5未満の低誘電率化と低透水性の性能が得られた。さらに、各種分析により、低誘電率化と低透水性の両立が実現できるメカニズムを提案する。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | CuバリアＬｏｗ－ｋ / ＤｉＢＤＭＳ / ＳｉＣ / 低誘電率 / 低透水性 / / / |
| （英） | Cu barrier Low-k / DiBDMS / SiC / Low-k / hermeticity / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 408, SDM2010-225, pp. 55-58, 2011年2月. | |
| 資料番号 | SDM2010-225 | |
| 発行日 | 2011-01-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2010-225 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-02-07 - 2011-02-07 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜(k<3.5) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly hermetic barrier Low-k SiC (k<3.5) by using new precursor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | CuバリアＬｏｗ－ｋ / Cu barrier Low-k |
| キーワード(2)（和/英） | ＤｉＢＤＭＳ / DiBDMS |
| キーワード(3)（和/英） | ＳｉＣ / SiC |
| キーワード(4)（和/英） | 低誘電率 / Low-k |
| キーワード(5)（和/英） | 低透水性 / hermeticity |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇佐美 達矢 / Tatsuya Usami / ウサミ タツヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 千香子 / Chikako Kobayashi / コバヤシ チカコ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 幸男 / Yukio Miura / ミウラ ユキオ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永野 修次 / Shuji Nagano / ナガノ シュウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo-Nippon Sanso Corporation (略称： Taiyo-Nippon Sanso) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大音 光市 / Koichi Ohto / オオト コウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 秀治 / Hideharu Shimizu / シミズ ヒデハル |
| 第6著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo-Nippon Sanso Corporation (略称： Taiyo-Nippon Sanso) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加田 武史 / Takeshi Kada / カダ タケシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社トリケミカル研究所 (略称： トリケミカル研) Tri Chemical Laboratories Inc. (略称： Tri Chemical Lab. Inc.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大平 達也 / Tatsuya Ohira / オオヒラ タツヤ |
| 第8著者 所属（和/英） | 株式会社トリケミカル研究所 (略称： トリケミカル研) Tri Chemical Laboratories Inc. (略称： Tri Chemical Lab. Inc.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤井 邦宏 / Kunihiro Fujii / フジイ クニヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： Renesas) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-02-07 15:55:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2010-225 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.408 |
| ページ範囲 | pp.55-58 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-01-31 (SDM) |
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