| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-02-23 16:05 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 ○沖川侑揮・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大）  ED2010-197 SDM2010-232 |
|
| 抄録 | （和） | プラズマCVD法を用いて作製したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタの電気伝導特性を走査型プローブ顕微鏡により解析した。その結果、サブスレッショルド領域ではチャネルが島状構造を形成し、ON状態ではその島構造が緩和する結果が得られた。この結果は、半導体CNTの抵抗がゲートバイアスにより変化し電気伝導に関与するCNTの本数が変化するためだと考えられる。またモンテカルロシミュレーションを行ったところ実験結果に対応する結果が得られた。なお、欠陥を含む金属CNTの電気伝導への影響やサブスレッショルド領域でのドレイン電流のばらつきに関しても述べる。 |
| （英） | The electrical properties of CNT-FETs fabricated using PECVD were studied by scanning probe microscopy. The measured results suggest the formation of an island structure in the subthreshold regime and disappearance of the island structure at ON state. These results were explained by the change in the effective number of the CNTs which contribute to the electrical conduction due to the gate-bias-dependent resistance of the semiconducting CNTs. The results obtained by Monte Carlo simulation revealed similar results. The effects of metallic CNTs with defects and the scatter of the drain current in the subthreshold regime were also examined. | |
| キーワード | （和） | カーボンナノチューブ / 薄膜トランジスタ / プラズマCVD法 / 走査型プローブ顕微鏡 / モンテカルロシミュレーション / / / |
| （英） | carbon nanotube / thin-film transistors / plasma-enhanced chemical vapor deposition / scanning probe microscopy / Monte-Carlo simulation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 423, ED2010-197, pp. 31-36, 2011年2月. | |
| 資料番号 | ED2010-197 | |
| 発行日 | 2011-02-16 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-197 SDM2010-232 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2011-02-23 - 2011-02-24 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイス及び関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of carbon nanotube thin-film transistors by scanning probe microscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / carbon nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin-film transistors |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマCVD法 / plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| キーワード(4)（和/英） | 走査型プローブ顕微鏡 / scanning probe microscopy |
| キーワード(5)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte-Carlo simulation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沖川 侑揮 / Yuki Okigawa / オキガワ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 雄高 / Yutaka Ohno / オオノ ユタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学/名古屋大学VBL (略称： 名大) Nagoya University/Venture Business Laboratory, Nagoya University (略称： Nagoya Univ./VBL, Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-02-23 16:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-197, SDM2010-232 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.423(ED), no.424(SDM) |
| ページ範囲 | pp.31-36 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-02-16 (ED, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]