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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-02-24 10:45 Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性 ○篠原迪人・加藤勇樹・三上 圭・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大）  ED2010-203 SDM2010-238 |
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| 抄録 | （和） | 強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電気伝導特性が変化することが知られている．われわれはシリコンのSETにおいて，基板縦方向電界無しに光照射のみで電気伝導特性が変化することを見出した．これは光照射により励起された正孔1個が単電子島周囲にあるSiO2にトラップされ，この正の電荷のために新たな電子が流れることが可能になったためである．トラップされた正孔の保持時間はゲート電圧の大きさにより異なることがわかった． |
| （英） | It is well known that step-like current jumps are observed when huge vertical electric field are applied to a Si single-electron transistor(SET) by photo illumination because single electron-hole pair is generated and recombined in the SET island. We observed similar characteristics without vertical electric field by only photo illumination. This is thought to be caused by the single hole trapped in SiO2 around the island, which enables another electron to enter the SET island. We also clarify that the holding time of trapped hole is depend on the gate voltage. | |
| キーワード | （和） | 単電子 / クーロンブロッケード / シリコン / 光応答 / / / / |
| （英） | Single-Electron / Coulomb blockade / Silicon / Optical response / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, no. 423, ED2010-203, pp. 63-66, 2011年2月. | |
| 資料番号 | ED2010-203 | |
| 発行日 | 2011-02-16 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2010-203 SDM2010-238 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2011-02-23 - 2011-02-24 |
| 開催地（和） | 北海道大学 百年記念会館 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ. |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイス及び関連技術 |
| テーマ（英） | Functional nanodevices and related technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-02-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characteristics of Si Single-Electron Transistor with Single-Carrier Trap Formed by Photo-Irradiation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単電子 / Single-Electron |
| キーワード(2)（和/英） | クーロンブロッケード / Coulomb blockade |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(4)（和/英） | 光応答 / Optical response |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠原 迪人 / Michito Shinohara / シノハラ ミチト |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 勇樹 / Yuki Kato / カトウ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三上 圭 / Kei Mikami / ミカミ ケイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 正志 / Masashi Arita / アリタ マサシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 聡 / Akira Fujiwara / フジワラ アキラ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株) (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Cooperation (略称： NTT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi / タカハシ ヤスオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-02-24 10:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2010-203, SDM2010-238 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.423(ED), no.424(SDM) |
| ページ範囲 | pp.63-66 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-02-16 (ED, SDM) |
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