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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-03-11 16:45 TbFe層を用いた垂直磁化MTJの熱アシスト磁化反転 ○野田晃司・藤澤佑樹・加藤剛志・岩田 聡（名大）・綱島 滋（名古屋産業科学研）  MR2010-63 |
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| 抄録 | （和） | 希土類-遷移金属(RE-TM)膜をメモリー層とした垂直磁化型のTbFe / CoFeB / Al-O / [Co/Pd]6磁気トンネル接合を作成し, その磁気抵抗(MR)特性および障壁へ印可した電流パルスにより発生するジュール熱を用いた熱アシスト磁化反転を確認した. Al-O層厚0.8 nmのMTJ素子(素子サイズ20 μm x 20 μm)では低バイアス(40 mV)で面積抵抗6 kΩμm2程度, MR比10 %, TbFe層の保磁力4 kOe程度が得られた. 一方, 高バイアス(350 mV)では, 障壁への通電により発生するジュール熱によりTbFe層の保磁力が2 kOe程度まで減少した. 磁界中で電流パルスを印可後の抵抗値から, 熱アシスト磁化反転に必要な電力密度の外部磁界依存性を測定した. 磁化反転に必要な電力密度は, 磁界の減少に伴い単調に増加し, 100 Oe程度の磁界では80 μW/μm2と見積もられた. これより, TbFe膜をメモリー層として用いたMTJ素子では低電力での熱アシスト磁化反転が可能であるという結論を得た. |
| （英） | We fabricated perpendicular magnetized magnetic tunnel junctions (MTJs) with a rare earth - transition metal (RE-TM) alloy whose stack is TbFe / CoFeB / Al-O / [Co/Pd]6, and investigated their magneto-resistance (MR) property and magnetization switching assisted by the Joule heat due to a current pulse through the Al-O junction. The MTJ with Al-O thickness of 0.8 nm and areal size of 20 μm x 20 μm exhibited resistance area product RA of 6 kΩμm2, MR ratio of 10%, and coercivity of TbFe layer of 4 kOe at a bias voltage of 40 mV. The coercivity of TbFe layer decreased down to 2 kOe at a bias voltage of 350 mV because of the Joule heat generated in the Al-O junction. From the MTJ resistance after the application of heating pulse, we measured the applied field dependence of the power density necessary for the thermally assisted magnetization switching. The power density was confirmed to increase with decreasing the applied field, and was estimated to be 80 μW/μm2 at the external field of 100 Oe. From this result, it is concluded that the MTJ with RE-TM alloy is effective for low power thermally assisted switching. | |
| キーワード | （和） | 熱アシスト磁化反転 / MTJ / 希土類-遷移金属 / TbFe / / / / |
| （英） | Thermally assisted switching / MTJ / RE-TM / TbFe / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 110, 2011年3月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2011-03-04 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2010-63 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2011-03-11 - 2011-03-11 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | 光記録，一般 |
| テーマ（英） | Optical recording, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2011-03-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TbFe層を用いた垂直磁化MTJの熱アシスト磁化反転 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermally Assisted Switching on Magnetic Tunnel Junctions with TbFe Layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱アシスト磁化反転 / Thermally assisted switching |
| キーワード(2)（和/英） | MTJ / MTJ |
| キーワード(3)（和/英） | 希土類-遷移金属 / RE-TM |
| キーワード(4)（和/英） | TbFe / TbFe |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野田 晃司 / Koji Noda / ノダ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤澤 佑樹 / Yuki Fujisawa / フジサワ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 剛志 / Takeshi Kato / カトウ タケシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 聡 / Satoshi Iwata / イワタ サトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 綱島 滋 / Shigeru Tsunashima / ツナシマ シゲル |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋産業科学研究所 (略称： 名古屋産業科学研) Nagoya Industrial Science Research Institute (略称： NISRI) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-03-11 16:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2010-63 |
| 巻番号（vol） | vol.110 |
| 号番号（no） | no.438 |
| ページ範囲 | pp.47-51 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-03-04 (MR) |
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