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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-04-15 11:05 Role of vacancy annihilation in electrical activation of P implanted in Ge ○Mohammad Anisuzzaman・Taizoh Sadoh（Kyushu Univ.）  SDM2011-4 OME2011-4 |
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| 抄録 | （和） | Due to the scaling limit faced by Si CMOS technology, much interest is being given on Ge. However, development of the Ge device technology requires more research into the fabrication processes. In this study, we have investigated the doping characteristics of P in Ge as a function of the dopant dose and substrate orientation. |
| （英） | Due to the scaling limit faced by Si CMOS technology, much interest is being given on Ge. However, development of the Ge device technology requires more research into the fabrication processes. In this study, we have investigated the doping characteristics of P in Ge as a function of the dopant dose and substrate orientation. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / イオン注入 / ドーピング / 固相エピタキシャル成長 / / / / |
| （英） | Germanium / Ion implantation / Dopant activation / Solid-phase epitaxial regrowth / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 4, SDM2011-4, pp. 13-16, 2011年4月. | |
| 資料番号 | SDM2011-4 | |
| 発行日 | 2011-04-08 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-4 OME2011-4 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME SDM |
| 開催期間 | 2011-04-15 - 2011-04-15 |
| 開催地（和） | 産総研九州センター |
| 開催地（英） | AIST Kyushu Center |
| テーマ（和） | 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin Films, Functional Devices, Materials, Measurement Technology, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-04-OME-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Role of vacancy annihilation in electrical activation of P implanted in Ge |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入 / Ion implantation |
| キーワード(3)（和/英） | ドーピング / Dopant activation |
| キーワード(4)（和/英） | 固相エピタキシャル成長 / Solid-phase epitaxial regrowth |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | モハマッド アニスザマン / Mohammad Anisuzzaman / モハマッド アニスザマン |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-04-15 11:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-4, OME2011-4 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.4(SDM), no.5(OME) |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-04-08 (SDM, OME) |
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