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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-04-18 16:10 ［招待講演］三次元NANDフラッシュメモリ ○有留誠一（ハイニックス）  ICD2011-7 |
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| 抄録 | （和） | 現在量産中のフローティングゲート型NANDフラッシュメモリセルのスケーリングの問題点と限界について議論し、三次元NANDフラッシュメモリの可能性と課題に関して概説する。いくつか提案されている三次元NANDフラッシュセルを比較する。最後に今後のNAND FlashのRoadmap を議論する。 |
| （英） | 3-Dimensional NAND flash memory technologies are reviewed. First, scaling limitation of current planar Floating-gate and charge trap cell are discussed briefly, then opportunity of 3-D flash is presented. Several types of 3-D cell are introduced, and discussed about challenges and possibilities. Finally road map of 3-D and planar cell are discussed. | |
| キーワード | （和） | 三次元 / NANDフラッシュ / スケーリング / / / / / |
| （英） | 3-Dimentional / NAND Flash / Scaling / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-7, pp. 37-42, 2011年4月. | |
| 資料番号 | ICD2011-7 | |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2011-7 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2011-04-18 - 2011-04-19 |
| 開催地（和） | 神戸大学 瀧川記念館 |
| 開催地（英） | Kobe University Takigawa Memorial Hall |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2011-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 三次元NANDフラッシュメモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 3-Dimensional NAND Flash memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 三次元 / 3-Dimentional |
| キーワード(2)（和/英） | NANDフラッシュ / NAND Flash |
| キーワード(3)（和/英） | スケーリング / Scaling |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有留 誠一 / Seiichi Aritome / アリトメ セイイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | ハイニックス セミコンダクター (略称： ハイニックス) Hynix SemiconductorInc. (略称： Hynix) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-04-18 16:10:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2011-7 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.37-42 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) |
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