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講演抄録/キーワード
講演名 2011-04-18 15:20
[招待講演]相変化デバイスの動向とTIAでの研究活動
○高浦則克(超低電圧デバイス技研組合) ICD2011-6
抄録 (和) 相変化デバイスの動向とつくばイノベーションアリーナ(TIA)における研究活動を報告する.主な内容は,低電力動作を実現するための材料研究及び,高集積かつ高データ転送速度を実現するためのメモリセル研究の進捗である.相変化デバイスを配線間に埋め込むバックエンドデバイスとしてのTIAでの活動も報告する. 
(英) This paper reports on trend in phase change memory (PCM) and research activity in Tsukuba Innovation Arena (TIA) . We discuss the materials research on PCM for low power operation and the design and electrical properties of cross point PCM suited to high density and high speed external storage applications. In TIA, Low-Power Electronics Association & Project (LEAP) aims to develop PCM as a back-end-of line (BEOL) device.
キーワード (和) 相変化デバイス / ストレージクラスメモリ / つくばイノベーションアリーナ / / / / /  
(英) Phase Change Memory(PCM) / Storage Class Memory(SCM) / Tsukuba Innovation Arena(TIA) / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-6, pp. 33-36, 2011年4月.
資料番号 ICD2011-6 
発行日 2011-04-11 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2011-6

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2011-04-18 - 2011-04-19 
開催地(和) 神戸大学 瀧川記念館 
開催地(英) Kobe University Takigawa Memorial Hall 
テーマ(和) メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 
テーマ(英) Memory Device Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2011-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 相変化デバイスの動向とTIAでの研究活動 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Trend in Phase Change Memory and activity in TIA 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 相変化デバイス / Phase Change Memory(PCM)  
キーワード(2)(和/英) ストレージクラスメモリ / Storage Class Memory(SCM)  
キーワード(3)(和/英) つくばイノベーションアリーナ / Tsukuba Innovation Arena(TIA)  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高浦 則克 / Norikatsu Takaura / タカウラ ノリカツ
第1著者 所属(和/英) 超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low-power Electronics Association & Project (略称: LEAP)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-04-18 15:20:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2011-6 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.6 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数 4 
発行日 2011-04-11 (ICD) 


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