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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-04-18 13:30 ［招待講演］24nmプロセスで製造された151mm2 64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発 ○福田浩一・渡辺慶久・牧野英一・川上浩一・佐藤順平・高際輝男・金川直晃・志賀 仁・常盤直哉・進藤佳彦・枝広俊昭・小川武志・岩井 信（東芝）・櫻井清史（東芝メモリシステムズ）・三輪 達（サンディスク）  ICD2011-4 |
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| 抄録 | （和） | 14MB/s書き込み、および266MB/sデータ転送が可能な、24nmプロセスを用いた64Gb 2bit/cell NAND 型フラッシュメモリを開発しました。低抵抗ワード線材料の採用による2プレーン構成、新ビット線フックアップ構成、周辺回路フロアプランの最適化により、小さなチップサイズ151mm2を実現しました。二つの新しい書き込みアルゴリズムを導入することで、書き込みスループットを5%改善し、書き込み時の消費電流を6%削減しました。 |
| （英） | A 64Gbit 2bit/cell NAND flash memory capable of 14MB/s programming and 266MB/s data transfer is fabricated in 24nm technology. A small die size of 151mm2 is achieved with 2-plane configuration enabled by a low resistive word-line material, a new bit-line hook-up architecture, and optimized floor plan of the peripheral circuit area. Newly introduced two program algorithms improve a program throughput by 5% and an operation current by 6%, respectively. | |
| キーワード | （和） | NAND Flash Memory / 2bit/cell / MLC / 24nm CMOS / / / / |
| （英） | NAND Flash Memory / 2bit/cell / MLC / 24nm CMOS / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-4, pp. 19-26, 2011年4月. | |
| 資料番号 | ICD2011-4 | |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2011-4 |
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