| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-04-19 10:20 [依頼講演]高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式 ○武田晃一・斉藤寿男・朝山 忍・相本代志治・小畑弘之・伊藤信哉・高橋寿史・竹内 潔・野村昌弘・林 喜宏（ルネサス エレクトロニクス）  ICD2011-10 |
|
| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 6, ICD2011-10, pp. 55-58, 2011年4月. | |
| 資料番号 | ICD2011-10 | |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2011-10 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2011-04-18 - 2011-04-19 |
| 開催地（和） | 神戸大学 瀧川記念館 |
| 開催地（英） | Kobe University Takigawa Memorial Hall |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | Memory Device Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2011-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | [依頼講演]高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Multi-step Word-line Control Technology in Hierarchical Cell Architecture for Scaled-down High-density SRAMs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武田 晃一 / Koichi Takeda / タケダ コウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 寿男 / Toshio Saito / サイトウ トシオ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朝山 忍 / Shinobu Asayama / アサヤマ シノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 相本 代志治 / Yoshiharu Aimoto / アイモト ヨシハル |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小畑 弘之 / Hiroyuki Kobatake / コバタケ ヒロユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 信哉 / Shinya Ito / イトウ シンヤ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 寿史 / Toshifumi Takahashi / タカハシ トシフミ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチ キヨシ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野村 昌弘 / Masahiro Nomura / ノムラ マサヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 喜宏 / Yoshihiro Hayashi / ハヤシ ヨシヒロ |
| 第10著者 所属（和/英） | ルネサスエレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics (略称： Renesas Electronics) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-04-19 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2011-10 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.55-58 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-04-11 (ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]