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講演抄録/キーワード
講演名 2011-05-13 15:00
酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFT)のバイアスストレス劣化メカニズム
古田 守平松孝浩松田時宜平尾 孝高知工科大)・鎌田雄大藤田静雄京大R2011-11
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 111, no. 33, R2011-11, pp. 19-22, 2011年5月.
資料番号 R2011-11 
発行日 2011-05-06 (R) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード R2011-11

研究会情報
研究会 R  
開催期間 2011-05-13 - 2011-05-13 
開催地(和) 高知市文化プラザ「かるぽーと」 
開催地(英) Kochi City Culture-Plaza Cul-Port 
テーマ(和) LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,および信頼性一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 R 
会議コード 2011-05-R 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFT)のバイアスストレス劣化メカニズム 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Bias-Temperature Instability in Zin Oxide Thin-Film Transistors 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 古田 守 / Mamoru Furuta / フルタ マモル
第1著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: Kochi Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 平松 孝浩 / Takahiro Hiramatsu / ヒラマツ タカヒロ
第2著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: Kochi Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ
第3著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: Kochi Univ. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 平尾 孝 / Takashi Hirao / ヒラオ タカシ
第4著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: Kochi Univ. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌田 雄大 / Yudai Kamada / カマダ ユウダイ
第5著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤田 静雄 / Shizuo Fujita / フジタ シズオ
第6著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-05-13 15:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 R 
資料番号 R2011-11 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.33 
ページ範囲 pp.19-22 
ページ数
発行日 2011-05-06 (R) 


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