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講演抄録/キーワード
講演名 2011-05-19 11:40
陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善
木村允哉加藤正史市村正也名工大ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20
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文献情報 信学技報, vol. 111, no. 44, ED2011-7, pp. 33-38, 2011年5月.
資料番号 ED2011-7 
発行日 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 CPM SDM ED  
開催期間 2011-05-19 - 2011-05-20 
開催地(和) 名古屋大学 VBL 
開催地(英) Nagoya Univ. (VBL) 
テーマ(和) 結晶成長、評価技術及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2011-05-CPM-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improvement of n-type 4H-SiC Schottky diode characteristics using passivation of defect by anodic oxidation. 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 允哉 / Masaya Kimura / キムラ マサヤ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ
第3著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-05-19 11:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2011-7, CPM2011-14, SDM2011-20 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) 
ページ範囲 pp.33-38 
ページ数
発行日 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) 


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