講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-05-19 11:40
陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 ○木村允哉・加藤正史・市村正也(名工大) ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20 |
抄録 |
(和) |
(まだ登録されていません) |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
/ / / / / / / |
(英) |
/ / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 44, ED2011-7, pp. 33-38, 2011年5月. |
資料番号 |
ED2011-7 |
発行日 |
2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-7 CPM2011-14 SDM2011-20 |
研究会情報 |
研究会 |
CPM SDM ED |
開催期間 |
2011-05-19 - 2011-05-20 |
開催地(和) |
名古屋大学 VBL |
開催地(英) |
Nagoya Univ. (VBL) |
テーマ(和) |
結晶成長、評価技術及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) |
テーマ(英) |
|
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2011-05-CPM-SDM-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
陽極酸化欠陥抑制法によるn型4H-SiCショットキーダイオードの整流特性改善 |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
Improvement of n-type 4H-SiC Schottky diode characteristics using passivation of defect by anodic oxidation. |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
/ |
キーワード(2)(和/英) |
/ |
キーワード(3)(和/英) |
/ |
キーワード(4)(和/英) |
/ |
キーワード(5)(和/英) |
/ |
キーワード(6)(和/英) |
/ |
キーワード(7)(和/英) |
/ |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
木村 允哉 / Masaya Kimura / キムラ マサヤ |
第1著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
加藤 正史 / Masashi Kato / カトウ マサシ |
第2著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
第3著者 所属(和/英) |
名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: NIT) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第4著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第5著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第6著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第7著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第8著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第9著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2011-05-19 11:40:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2011-7, CPM2011-14, SDM2011-20 |
巻番号(vol) |
vol.111 |
号番号(no) |
no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
ページ範囲 |
pp.33-38 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
|