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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-05-20 17:30 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 ○宮崎英志・合田祐司・岸本 茂・水谷 孝（名大）  ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49 |
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| 抄録 | （和） | Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al2O3成膜前の前処理として(NH4)2S (硫化アンモニウム)処理を検討した。まず初めに、Al2O3/n-GaN MOSダイオードを用いて、(NH4)2S 処理の効果を検討した所、Al2O3成膜前に(NH4)2S処理を行うことでC-Vカーブの傾きが(NH4)2S処理なしに比べて急峻になり、界面準位密度も低減した。次に本(NH4)2S処理をAl2O3/AlGaN/GaN MOSFETに適用したところ、ID, gm- VGS特性におけるヒステリシスが減少し、また大きなゲート電圧におけるID の上詰まりも改善した。これらの結果は硫化アンモニウム処理により、Al2O3/AlGaN界面の界面準位密度が低減したことを示唆している。またさらなる界面品質の向上を目指して、C-V測定後アニールを行ったところ、C-Vカーブの立ち上がりが正側にシフトし、界面準位密度も低減した。 |
| （英） | We have introduced (NH4)2S surface treatments before the deposition of the Al2O3 gate oxide to improve the electrical properties of Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETs. Firstly, the effect of (NH4)2S surface treatment was studied using Al2O3/GaN MOS diodes. The slope in the C-V curve of the MOS diodes with (NH4)2S surface treatments was steeper than that of the devices without (NH4)2S. In addition, Al2O3/GaN interface trap density was decreased by (NH4)2S surface treatments. The hysteresis of the Al2O3/AlGaN/GaN MOSFET with (NH4)2S surface treatments in ID-VGS and gm-VGS characteristics was smaller than that of the device without (NH4)2S surface treatments. In addition, the current saturation in ID-VGS characteristics at a large gate voltage is relaxed. These results indicate that Al2O3/AlGaN interface trap density is decreased by (NH4)2S surface treatments. The annealing of the MOS diodes was shown to be effective in improving the interface quality of the MOS diodes. | |
| キーワード | （和） | Al2O3/AlGaN/GaN MOSFET / 硫化アンモニウム / 界面準位密度 / / / / / |
| （英） | Al2O3/AlGaN/GaN MOSFET / (NH4)2S / interface trap density / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 44, ED2011-36, pp. 185-190, 2011年5月. | |
| 資料番号 | ED2011-36 | |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM SDM ED |
| 開催期間 | 2011-05-19 - 2011-05-20 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ＶＢＬ |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. (VBL) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価技術及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-05-CPM-SDM-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of AlGaN/GaN MOSFETs with Al2O3 gate oxide deposited by atomic layer deposition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Al2O3/AlGaN/GaN MOSFET / Al2O3/AlGaN/GaN MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 硫化アンモニウム / (NH4)2S |
| キーワード(3)（和/英） | 界面準位密度 / interface trap density |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 英志 / Eiji Miyazaki / ミヤザキ エイジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 合田 祐司 / Takeshi Gouda / ゴウダ タケシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学/名古屋大学VBL (略称： 名大) Nagoya University/Nagoya University VBL (略称： Nagoya Univ./VBL, Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-05-20 17:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-36, CPM2011-43, SDM2011-49 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.44(ED), no.45(CPM), no.46(SDM) |
| ページ範囲 | pp.185-190 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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