| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2011-06-24 10:00
ミリ波帯CMOS基板上伝送線路型スパイラルインダクタの電磁界解析と実測による検証 浅野 隼・○平野拓一・岡田健一・広川二郎・安藤 真(東工大) MW2011-37 |
| 抄録 |
(和) |
ミリ波帯CMOS基板上伝送線路型スパイラルインダクタの特性を効率的に電磁界シミュレーションで予測するためのモデリングについて検討した。シリコン基板が見える構造ではシリコン表面のシリサイド、ウェル、拡散層のモデリングが重要であることがわかった。1.5周伝送線路型スパイラルインダクタの損失を調べ、線路間の間隔が20um以上になると、線路部、コーナー部、交差部の2ポートSパラメータを接続した結果は全体構造の電磁界解析結果と一致し、線路間の結合が無視できて長さが同じ直線状線路と同一の特性となることがわかった。また、伝送線路型半周スパイラルインダクタの実測値からインダクタンス値、抵抗値、Q値を抽出し、損失が少ない線路ほどQ値が高いことがわかった。 |
| (英) |
Transmission line-type spiral inductors are investigated by electromagnetic simulation and measurements. It was found that silicides, wells and diffusion layers are important in electromagnetic modeling. Transmission line-type spiral inductor can be considered to be a transmission line with the same total length when the distance between lines is far. Inductance, resistance and Q-factors were extracted by measured data. Q-factor becomes small if loss of the transmission line is large. |
| キーワード |
(和) |
CMOS / スパイラルインダクタ / 伝送線路 / シリコン / 電磁界解析 / / / |
| (英) |
CMOS / Spiral Inductor / Transmission Line / Silicon, Electromagnetic Analysis / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 95, MW2011-37, pp. 29-34, 2011年6月. |
| 資料番号 |
MW2011-37 |
| 発行日 |
2011-06-16 (MW) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
MW2011-37 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
MW |
| 開催期間 |
2011-06-23 - 2011-06-24 |
| 開催地(和) |
核融合科学研究所 |
| 開催地(英) |
National Institute for Fusion Science |
| テーマ(和) |
マイクロ波信号発生と計測技術/マイクロ波一般 |
| テーマ(英) |
Microwave Signal Generation and Measurement / NA |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
MW |
| 会議コード |
2011-06-MW |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル(和) |
ミリ波帯CMOS基板上伝送線路型スパイラルインダクタの電磁界解析と実測による検証 |
| サブタイトル(和) |
|
| タイトル(英) |
Analysis and Measurement of Transmission Line-Type Spiral Inductors in the Millimeter-Wave Band |
| サブタイトル(英) |
|
| キーワード(1)(和/英) |
CMOS / CMOS |
| キーワード(2)(和/英) |
スパイラルインダクタ / Spiral Inductor |
| キーワード(3)(和/英) |
伝送線路 / Transmission Line |
| キーワード(4)(和/英) |
シリコン / Silicon, Electromagnetic Analysis |
| キーワード(5)(和/英) |
電磁界解析 / |
| キーワード(6)(和/英) |
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| キーワード(7)(和/英) |
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| キーワード(8)(和/英) |
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| 第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
浅野 隼 / Jun Asano / アサノ ジュン |
| 第1著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平野 拓一 / Takuichi Hirano / ヒラノ タクイチ |
| 第2著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岡田 健一 / Kenichi Okada / オカダ ケンイチ |
| 第3著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
広川 二郎 / Jiro Hirokawa / ヒロカワ ジロウ |
| 第4著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech) |
| 第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
安藤 真 / Makoto Ando / アンドウ マコト |
| 第5著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech) |
| 第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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| 講演者 |
第2著者 |
| 発表日時 |
2011-06-24 10:00:00 |
| 発表時間 |
30分 |
| 申込先研究会 |
MW |
| 資料番号 |
MW2011-37 |
| 巻番号(vol) |
vol.111 |
| 号番号(no) |
no.95 |
| ページ範囲 |
pp.29-34 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2011-06-16 (MW) |