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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-06-30 11:35 単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性 ○勝野 弘・櫛部光弘・金子 桂・山田真嗣・大場康夫（東芝）  OPE2011-20 LQE2011-20 |
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| 抄録 | （和） | 近紫外LEDを励起光源として用いた白色LEDは、演色性が高いことで知られているが、電流増大による効率低下が少ない特徴を生かして、高輝度な固体照明の実現も期待できる。高温成長AlNバッファー層を用いた低欠陥結晶成長技術と電流均一性に優れた素子構造を採用して、可視光LED並みの効率を持つ390nm帯の近紫外LEDを作製し、光出力の電流依存性を調べた。その結果、量子井戸の厚膜化によって高電流領域における効率低下を抑制できることが分かり、0.35Aおよび3A動作時においてそれぞれ0.6W、4.3Wの光出力が得られた。 |
| （英） | We have developed near-UV LEDs which adopted high-quality GaN growth technique using high-temperature-grown AlN as a buffer layer and superior chip structure in current uniformity and realized similar efficiency as regular visible LEDs. Current dependence of light-output power revealed that degradation of an efficiency at high current region could be suppressed by using a thick quantum well and showed high power characteristics of 4.3W at 3A. | |
| キーワード | （和） | GaN / 紫外 / LED / AlNバッファー層 / / / / |
| （英） | GaN / ultraviolet / light emitting diodes / AlN buffer / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 112, LQE2011-20, pp. 25-28, 2011年6月. | |
| 資料番号 | LQE2011-20 | |
| 発行日 | 2011-06-23 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2011-20 LQE2011-20 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE OPE |
| 開催期間 | 2011-06-30 - 2011-06-30 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | アクティブデバイスと集積化技術、一般 「材料デバイスサマーミーティング」 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-06-LQE-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 単結晶AlNバッファー層を用いた近紫外LEDの特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of near ultra-violet LEDs using single crystal AlN buffer layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外 / ultraviolet |
| キーワード(3)（和/英） | LED / light emitting diodes |
| キーワード(4)（和/英） | AlNバッファー層 / AlN buffer |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 勝野 弘 / Hiroshi Katsuno / カツノ ヒロシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 櫛部 光弘 / Mitsuhiro Kushibe / クシベ ミツヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金子 桂 / Kei Kaneko / カネコ ケイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 真嗣 / Shinji Yamada / ヤマダ シンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大場 康夫 / Yasuo Ohba / オオバ ヤスオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-06-30 11:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OPE2011-20, LQE2011-20 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.111(OPE), no.112(LQE) |
| ページ範囲 | pp.25-28 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-06-23 (OPE, LQE) |
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