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| 講演名 | 2011-07-04 14:00 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 ○松井真史・藤岡知宏・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大）  SDM2011-61 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-61 |
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| 抄録 | （和） | 熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合状態をXPS分析により評価した。室温のAl蒸着において、GeO2初期膜厚（>~1nm）に関わらず、厚さ~1nm程度GeO2が還元されることが明らかになった。初期GeO2膜厚が1.0nm程度の場合にはGeO2からAlへの酸素原子の拡散が支配的であり、GeO2膜厚が1.9nm以上の場合は酸素原子拡散に加えてAl-Ge結合の形成が明瞭に観測された。また、極薄AuおよびPtを熱酸化GeO2上に堆積した場合、金属/GeO2界面に熱酸化GeO2/Ge界面と同等量のサブオキサイド成分(GeOx : 0<x<2)の形成を確認した。 |
| （英） | We have investigated chemical bonding features at thermally-grown GeO2/Ge(100) and metals (Al, Au and Pt)/GeO2 interfaces by using high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). After the Al evaporation on GeO2 thicker than 1.9nm initially, a reduction of GeO2 accompanied with the generation of Al-Ge bonds was observed near the interface between Al and GeO2. From the deconvolution of measured Ge3d5/2 spectra taken after physical vapor deposition of Au- and Pt-ultrathin films on thermally-grown GeO2, we have confirmed the formation of Ge sub-oxide components (GeOx 0<x<2) at the metal/GeO2 interfaces being quantitatively comparable to sub-oxides at the thermally-grown GeO2/Ge(100) interface. | |
| キーワード | （和） | Geチャネル / サブオキサイド / 界面反応 / 化学結合状態 / X線光電子分光法 / / / |
| （英） | Ge-channel / Sub-oxide / Interfacial Reaction / Chemical Bonding Features / X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-61, pp. 63-68, 2011年7月. | |
| 資料番号 | SDM2011-61 | |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-61 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-61 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-07-04 - 2011-07-04 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-07-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoemission Study of Chemical Bonding Features at Metal/GeO2 Interfaces |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Geチャネル / Ge-channel |
| キーワード(2)（和/英） | サブオキサイド / Sub-oxide |
| キーワード(3)（和/英） | 界面反応 / Interfacial Reaction |
| キーワード(4)（和/英） | 化学結合状態 / Chemical Bonding Features |
| キーワード(5)（和/英） | X線光電子分光法 / X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 真史 / Masafumi Matsui / マツイ マサフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤岡 知宏 / Tomohiro Fujioka / フジオカ トモヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 秀樹 / Hideki Murakami / ムラカミ ヒデキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-04 14:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-61 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.114 |
| ページ範囲 | pp.63-68 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) |
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