講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-07-04 14:00
金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 ○松井真史・藤岡知宏・大田晃生・村上秀樹・東 清一郎(広島大)・宮崎誠一(名大) SDM2011-61 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-61 |
抄録 |
(和) |
熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合状態をXPS分析により評価した。室温のAl蒸着において、GeO2初期膜厚(>~1nm)に関わらず、厚さ~1nm程度GeO2が還元されることが明らかになった。初期GeO2膜厚が1.0nm程度の場合にはGeO2からAlへの酸素原子の拡散が支配的であり、GeO2膜厚が1.9nm以上の場合は酸素原子拡散に加えてAl-Ge結合の形成が明瞭に観測された。また、極薄AuおよびPtを熱酸化GeO2上に堆積した場合、金属/GeO2界面に熱酸化GeO2/Ge界面と同等量のサブオキサイド成分(GeOx : 0<x<2)の形成を確認した。 |
(英) |
We have investigated chemical bonding features at thermally-grown GeO2/Ge(100) and metals (Al, Au and Pt)/GeO2 interfaces by using high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). After the Al evaporation on GeO2 thicker than 1.9nm initially, a reduction of GeO2 accompanied with the generation of Al-Ge bonds was observed near the interface between Al and GeO2. From the deconvolution of measured Ge3d5/2 spectra taken after physical vapor deposition of Au- and Pt-ultrathin films on thermally-grown GeO2, we have confirmed the formation of Ge sub-oxide components (GeOx 0<x<2) at the metal/GeO2 interfaces being quantitatively comparable to sub-oxides at the thermally-grown GeO2/Ge(100) interface. |
キーワード |
(和) |
Geチャネル / サブオキサイド / 界面反応 / 化学結合状態 / X線光電子分光法 / / / |
(英) |
Ge-channel / Sub-oxide / Interfacial Reaction / Chemical Bonding Features / X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-61, pp. 63-68, 2011年7月. |
資料番号 |
SDM2011-61 |
発行日 |
2011-06-27 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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