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| 講演名 | 2011-07-04 16:20 RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性 ○大田晃生・後藤優太・西垣慎吾・Guobin Wei・村上秀樹・東 清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大）  SDM2011-67 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-67 |
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| 抄録 | （和） | RFスパッタにより形成したSiOx (厚さ：8~40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流変化から抵抗変化動作を評価した。フォーミングと呼ばれる絶縁破壊に類似した初期低抵抗化の後、高抵抗状態(High Resistance State : HRS)と低抵抗状態(Low Resistance State : LRS)を繰り返すノンポーラ型のスイッチングを観測した。SiOx膜厚が20nm以上の領域では、フォーミング電圧は膜厚に対しほぼ線形に増大し、~2MV/cmでほぼ一定であった。また、SiOxを用いたReRAMでは、同様の条件で作成したTiOxに比べ、ON/OFF比の高い抵抗変化動作を観測した。p型およびn型Si基板上に作製したMOS構造では、n型基板を用いた試料に正電圧印加した場合のみに抵抗変化特性が確認され、Pt/SiOx界面への電子注入と酸素欠陥により抵抗変化が誘起される可能性が示唆された。 |
| （英） | Resistance-switching properties of RF sputtered Si-rich oxides sandwiching with Pt electrodes have been studided in comparison to the TiOx case. By sweeping bias to the top Pt electrode, non-polar type resistance-switching behavior was observed after a forming process. In SiOx thickenss region from 20 to 40nm, the electrical field for the forming process was almost constant at ~2MV/cm. The current levels in both the high resistance state (HRS) and the low resistance state (LRS) for Pt/SiOx/Pt were markedly smaller than those for the Pt/TiOx/Pt structure. And, even with decreasing SiOx thickness down to ~8nm, the ON/OFF ratio in resistance-switching between HRS and LRS was maintained to be as large as ~1E3. The current-voltage characteristics for Pt/SiOx on p-Si(100) and n-Si(100) suggest that the reduction and oxidation reaction induced by electron fluence near the Pt/SiOx interface is responsible for obtaining the resistance-switching behavior. | |
| キーワード | （和） | 抵抗変化型メモリ (ReRAM) / Si酸化膜 / Pt電極 / RFスパッタリング / / / / |
| （英） | Resistive Random Access Memory (ReRAM) / Si Oxide / Pt Electrode / RF Sputtering / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-67, pp. 97-102, 2011年7月. | |
| 資料番号 | SDM2011-67 | |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-67 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-07-04 - 2011-07-04 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-07-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Resistive Switching Properties of Si-Oxide Thin Films Prepared by RF Sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型メモリ (ReRAM) / Resistive Random Access Memory (ReRAM) |
| キーワード(2)（和/英） | Si酸化膜 / Si Oxide |
| キーワード(3)（和/英） | Pt電極 / Pt Electrode |
| キーワード(4)（和/英） | RFスパッタリング / RF Sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 優太 / Yuta Goto / ゴトウ ユウタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西垣 慎吾 / Shingo Nishigaki / ニシガキ シンゴ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Guobin Wei / Guobin Wei / ウェイ ゴービン |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 秀樹 / Hideki Murakami / ムラカミ ヒデキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-04 16:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-67 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.114 |
| ページ範囲 | pp.97-102 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) |
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