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| 講演名 | 2011-07-04 16:40 グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用 ○堀田昌宏（奈良先端大/JST）・山崎浩司・町田絵美（奈良先端大）・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大/JST）  SDM2011-68 |
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| 抄録 | （和） | ガラス基板上に形成された2層積層構造シリコン薄膜に対して, グリーンレーザーアニール(GLA)による同時結晶化を行った. GLAにおける照射エネルギー密度の増加とともに, 上層多結晶シリコン(poly-Si)膜の粒径が増加し, また, 下層poly-Si膜の結晶性が向上した. さらに, 結晶化した積層シリコン薄膜を用いて, 異なる機能を有する薄膜デバイスを同時プロセスで作製することを試みた. 上層poly-Si膜および下層poly-Si膜にそれぞれ作製した薄膜トランジスタ(TFT)と薄膜フォトダイオード(TFPD)において, デバイス動作が確認された. また, GLAにおける照射エネルギー密度を増加させ, 膜質を改善することによって, TFTおよびTFPDの性能を向上させることに成功した. |
| （英） | We investigate simultaneous crystallization of double-layered silicon thin films on glass substrates by means of green laser annealing (GLA). The grain size of the upper layer polycrystalline Si (poly-Si) and the crystalline quality of the lower poly-Si are improved by optimization of the laser energy density in GLA. We also study on the device fabrication of multifunctional thin film devices on the double-layered poly-Si in a single process. Thin film transistors (TFTs) and thin film photo diodes (TFPDs), fabricated on the upper and lower poly-Si films, respectively, have shown clear device operations. The optimization of the laser energy density in GLA improves the quality of the upper and lower poly-Si films, leading to the enhancement of the performance of TFTs and TFPDs. | |
| キーワード | （和） | 低温多結晶シリコン / レーザー結晶化 / 薄膜トランジスタ / 三次元積層構造 / / / / |
| （英） | polycrystalline silicon / laser crystallization / thin film transistor / three-dimensional multi-layered structure / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-68, pp. 103-108, 2011年7月. | |
| 資料番号 | SDM2011-68 | |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-68 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-07-04 - 2011-07-04 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-07-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | グリーンレーザーによる積層構造シリコン薄膜の同時結晶化と薄膜デバイスへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simultaneous Crystallization of Double-Layered Si Thin Films and Fabciration of Thin Film Devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低温多結晶シリコン / polycrystalline silicon |
| キーワード(2)（和/英） | レーザー結晶化 / laser crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 三次元積層構造 / three-dimensional multi-layered structure |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀田 昌宏 / Masahiro Horita / ホリタ マサヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大/JST) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 浩司 / Koji Yamasaki / ヤマサキ コウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 町田 絵美 / Emi Machida / マチダ エミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大/JST) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大/JST) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-04 16:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-68 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.114 |
| ページ範囲 | pp.103-108 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) |
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