| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2011-07-04 11:20
Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面 櫻井蓉子・大毛利健治・山田啓作(筑波大)・角嶋邦之・岩井 洋(東工大)・白石賢二・○野村晋太郎(筑波大) SDM2011-56 |
| 抄録 |
(和) |
発光顕微分光法によりSiナノワイヤー、ナノレイヤの発光特性を評価した.膜厚2.7~25.2 nmの極薄SOI試料の発光スペクトルの閉じ込めを反映したピークシフトと、バルクSiと比較した相互作用の増大伴う高温での発光の増大を観測した.Siナノワイヤーにおいて、発光強度の水素熱処理依存性を調べ、水素熱処理の有無または熱処理温度に依存したSiナノワイヤーの界面準位密度の変化を光学的に検知することができた. |
| (英) |
Photoluminescence (PL) and interface properties of Si nanolayers and nanowires have been investigated. We have observed PL peak shift due to quantum confinement effect in ultra thin SOI samples with thickness between 2.7 and 25.2 nm. Furthermore, we have observed increase in PL intensities at higher temperature as compared with bulk Si due to enhanced electron-hole Coulomb interaction. We have optically detected change in the interface defect density of Si nanowires with/or without hydrogen annealing process and depending on hydrogen annealing temperature by investigating PL spectra. |
| キーワード |
(和) |
発光分光 / SOI / Siナノワイヤー / 界面準位 / / / / |
| (英) |
photoluminescence / SOI / interface states / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-56, pp. 35-39, 2011年7月. |
| 資料番号 |
SDM2011-56 |
| 発行日 |
2011-06-27 (SDM) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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