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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-07-04 17:20 低消費電力型デバイスを用いたシステムLSIの設計法 ○鈴木良輔・渡辺重佳（湘南工科大）  SDM2011-70 |
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| 抄録 | （和） | 低消費電力型デバイスであるトンネル型トランジスタを用いたシステムLSIの設計法をインバータ、NAND回路、全加算器等を用いて検討した。平面型のトンネル型トランジスタを用いた場合には従来の平面型CMOSトランジスタを用いた場合より、パターン面積が大きくなる問題がある。パターン面積を縮小するためにはFinFET型のトンネル型トランジスタの導入が有効である |
| （英） | Design method of system LSI such as inverter, NAND, and full adder with low power tunnel transistor has been described. Pattern area of system LSI with plane tunnel transistor is larger than that with conventional planar CMOS transistor. By introducing FinFET type tunnel transistor pattern area of system LSI can be reduced to smaller value compared with that using conventional planar CMOS transistor. | |
| キーワード | （和） | 低電力 / トンネル型トランジスタ / パターン設計 / システムLSI / / / / |
| （英） | Low power / tunnel type transistor / pattern layout / system LSI / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 114, SDM2011-70, pp. 115-119, 2011年7月. | |
| 資料番号 | SDM2011-70 | |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-70 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-07-04 - 2011-07-04 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-07-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低消費電力型デバイスを用いたシステムLSIの設計法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design method of system LSI with low power device |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低電力 / Low power |
| キーワード(2)（和/英） | トンネル型トランジスタ / tunnel type transistor |
| キーワード(3)（和/英） | パターン設計 / pattern layout |
| キーワード(4)（和/英） | システムLSI / system LSI |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 良輔 / Ryosuke Suzuki / スズキ リョウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： Shonan Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / ワタナベ シゲヨシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 湘南工科大学 (略称： 湘南工科大) Shonan Institute of Technology (略称： Shonan Inst. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-04 17:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-70 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.114 |
| ページ範囲 | pp.115-119 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-06-27 (SDM) |
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