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講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-15 14:50
GaAs単結晶基板上に形成した準安定bcc構造をもつエピタキシャルCo,Ni,NiFe薄膜の構造解析
野中雄介大竹 充二本正昭中大MR2011-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2011-4
抄録 (和) 超高真空RFマグネトロンスパッタ法によりGaAs(100),(111),(110)単結晶基板上に40 nm厚のCo,Ni,Ni80Fe20(at. %)薄膜を室温で形成し,膜成長過程および結晶特性を調べた.GaAs(100),(111),(110)基板上において,それぞれ,(100),(111),(110)配向の準安定bcc構造を持つCo,Ni,NiFe単結晶膜がヘテロエピタキシャル成長した.膜厚の増加に伴い,Co,Ni,NiFeのbcc結晶はより安定なfcc結晶に変態する傾向が認められ,その結果,形成後の40 nm厚の膜はbccおよびfcc結晶から構成されていることが分かった.bcc構造の安定性は3d強磁性遷移金属材料に依存して変化し,Co > Ni > NiFeの順であった.bcc-fcc相変態結晶方位関係を反射高速電子回折およびX線回折極点図形解析により決定した.GaAs(110)基板上に形成されたbcc-Co,bcc-Ni,bcc-NiFe結晶の格子定数をそれぞれ(a, b, c) = (0.2789, 0.2789, 0.2825 nm),(0.2892, 0.2892, 0.2909 nm),(0.2910, 0.2910, 0.2943 nm)と求めた. 
(英) Co, Ni, and Ni80Fe20 (at. %) thin films of 40 nm thickness are prepared at room temperature on three kinds of GaAs single-crystal substrates, (100), (111), and (110), by ultra-high vacuum RF magnetron sputtering. The film growth behavior and the crystallographic properties are investigated. Metastable bcc-Co, bcc-Ni, and bcc-NiFe epitaxial single-crystals of (100), (111), and (110) orientations respectively nucleate on GaAs substrates of (100), (111), and (110) orientations, where the bcc crystals are stabilized through hetero-epitaxial growth. With increasing the film thickness, the bcc structures in the Co, the Ni, and the NiFe films start to transform into more stable fcc structures. The resulting films thus consist of a mixture of bcc and fcc crystals. The bcc structure stability depends on the 3d ferromagnetic transition material in the order of Co > Ni > NiFe. The bcc-fcc phase transformation orientation relationships are determined by reflection high energy electron diffraction and X-ray diffraction pole figure analyses. The lattice constants of bcc-Co, bcc-Ni, and bcc-NiFe crystals grown on GaAs(110) substrates are determined to be (a, b, c) = (0.2789, 0.2789, 0.2825 nm), (0.2892, 0.2892, 0.2909 nm), and (0.2910, 0.2910, 0.2943 nm), respectively.
キーワード (和) bcc-Co / bcc-Ni / bcc-NiFe / 薄膜 / エピタキシャル成長 / 準安定 / 相変態 /  
(英) bcc-Co / bcc-Ni / bcc-NiFe / Thin Film / Epitaxial Growth / Metastable / Phase Transformation /  
文献情報 信学技報, vol. 111, 2011年7月.
資料番号  
発行日 2011-07-08 (MR) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
査読に
ついて
本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.
PDFダウンロード MR2011-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:MR2011-4

研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS  
開催期間 2011-07-15 - 2011-07-15 
開催地(和) 中央大学 後楽園キャンパス 
開催地(英) Chuo University, Kohraku-en Campus 
テーマ(和) 媒体,一般 
テーマ(英) Recording Medium, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2011-07-MR-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaAs単結晶基板上に形成した準安定bcc構造をもつエピタキシャルCo,Ni,NiFe薄膜の構造解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Structure Analysis of Co, Ni, and NiFe Epitaxial Thin Films with Metastable bcc Structure Grown on GaAs Single-Crystal Substrates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) bcc-Co / bcc-Co  
キーワード(2)(和/英) bcc-Ni / bcc-Ni  
キーワード(3)(和/英) bcc-NiFe / bcc-NiFe  
キーワード(4)(和/英) 薄膜 / Thin Film  
キーワード(5)(和/英) エピタキシャル成長 / Epitaxial Growth  
キーワード(6)(和/英) 準安定 / Metastable  
キーワード(7)(和/英) 相変態 / Phase Transformation  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野中 雄介 / Yusuke Nonaka / ノナカ ユウスケ
第1著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大竹 充 / Mitsuru Ohtake / オオタケ ミツル
第2著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 二本 正昭 / Masaaki Futamoto / フタモト マサアキ
第3著者 所属(和/英) 中央大学 (略称: 中大)
Chuo University (略称: Chuo Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-07-15 14:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 MR2011-4 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.140 
ページ範囲 pp.19-26 
ページ数
発行日 2011-07-08 (MR) 


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