ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2011-07-29 15:20
フラッシングスプレーCVD法によるNb2O5膜の成膜
富永浩二堀場製作所)・寺阪正訓清水哲夫堀場エステック)・千田二郎同志社大)・石田耕三堀場製作所ED2011-41
抄録 (和) 4Gbit以降のDRAM用キャパシタ材料の候補である比誘電率が60のNb2O5膜に着目した。CVDプロセスにおいて出発原料にはペンタエトキシニオブが一般的に用いられている。しかし、CVD法にこの出発原料を用いた場合、蒸気圧が133℃において13.3Paと非常に低く安定した気化に問題がある。そこで我々は新たな気化方式としてフラッシングスプレーCVD法を提案した。そして噴射弁の数と配置を最適化することで直径300mmのSi基板上に膜厚分布で±1.3%を得た。また、そのときの成膜速度は28-39nm/minであった。 
(英) Nb2O5 thin films are a DRAM capacitor material with over 4Gbit because the specific inductive capacity is 60. In CVD process, pentaethoxyniobium (PENb) is usually used as precursor. There are several problems attributed to this such as the thermal decomposition of the superheating, and is necessary to keep the highest temperature in the evaporator and transport process because the PENb vapor pressure is very low, such as 130℃ at 13.3Pa. To improve the problems, a flash boiling spray CVD (FS-CVD) method is proposed. Nb2O5 films were deposited on a 300mm Si wafer by FS-CVD method. As a result, the uniformity of films was +/-1.3% or less. And deposition rate was from 28 to 39nm/min.
キーワード (和) 減圧沸騰噴霧 / 化学気相成長 / 五酸化ニオブ / 膜厚分布 / 成膜速度 / / /  
(英) Flash boiling spray / CVD / Nb2O5 / Uniformity / Deposition rate / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 167, ED2011-41, pp. 21-24, 2011年7月.
資料番号 ED2011-41 
発行日 2011-07-22 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2011-41

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2011-07-29 - 2011-07-30 
開催地(和) 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター 
開催地(英) Multimedia system center, Nagaoka Univ. of Tech. 
テーマ(和) TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般 
テーマ(英) TFT (organic,oxide), Semiconductor process (surface, interface, reliability), etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2011-07-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) フラッシングスプレーCVD法によるNb2O5膜の成膜 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Deposition of Nb2O5 films by fiash boiling spray CVD 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 減圧沸騰噴霧 / Flash boiling spray  
キーワード(2)(和/英) 化学気相成長 / CVD  
キーワード(3)(和/英) 五酸化ニオブ / Nb2O5  
キーワード(4)(和/英) 膜厚分布 / Uniformity  
キーワード(5)(和/英) 成膜速度 / Deposition rate  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 富永 浩二 / Koji Tominaga / トミナガ コウジ
第1著者 所属(和/英) 株式会社堀場製作所 (略称: 堀場製作所)
HORIBA, Ltd. (略称: HORIBA)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺阪 正訓 / Masanori Trasaka / テラサカ マサノリ
第2著者 所属(和/英) 株式会社堀場エステック (略称: 堀場エステック)
HORIBA STEC Inc. (略称: STEC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 清水 哲夫 / Tetsuo Shimizu / シミズ テツオ
第3著者 所属(和/英) 株式会社堀場エステック (略称: 堀場エステック)
HORIBA STEC Inc. (略称: STEC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 千田 二郎 / Jiro Senda / センダ ジロウ
第4著者 所属(和/英) 同志社大学理工学部 (略称: 同志社大)
Doshisha University Faculty of Science and Engineering (略称: Doshisha Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 石田 耕三 / Kozo Ishida / イシダ コウゾウ
第5著者 所属(和/英) 株式会社堀場製作所 (略称: 堀場製作所)
HORIBA, Ltd. (略称: HORIBA)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2011-07-29 15:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2011-41 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.167 
ページ範囲 pp.21-24 
ページ数
発行日 2011-07-22 (ED) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会