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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-07-29 16:10 SiNx絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価 ○村松 徹・三浦健輔・白鳥悠太・葛西誠也（北大）  ED2011-43 |
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| 抄録 | （和） | 半導体電界効果トランジスタ（FET）の微細化に伴い素子自身が発する雑音が増大しており，雑音特性の理解と制御が重要になっている．本研究では，絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETを試作し，低周波雑音特性の評価を行った．エッチングで形成したGaAsナノワイヤFETにSiNx絶縁ゲートを設けることで導入した電子トラップの影響，および，素子サイズと低周波雑音強度やスペクトルの相関を実験的に検討した．SiNx絶縁ゲートの挿入により低周波雑音は増大した．観測された雑音スペクトルは1/f^2であり，離散トラップの充放電によるランダムテレグラフシグナル（RTS）が主である．雑音スペクトルと強度はナノワイヤ幅に依存し，サイズ縮小にともないスペクトルは1/fから1/f^2へ遷移した． |
| （英） | Noise in a semiconductor field-effect transistor (FET) is going to increase, as the device size is reduced. The important issue is understanding and control of the noise characteristics. In this study, insulator-gate GaAs-based nanowire FETs are fabricated and their low frequency noise is characterized. We experimentally investigate the effect of electron traps in the SiNx gate insulator and the size dependence of the intensity and the spectrum of the drain current noise. Observed noise typically shows 1/f^2 spectrum, indicating the random telegraph signal (RTS). The spectrum intensity depends on the nanowire width and it changes from 1/f to 1/f^2 as the width is decreased. | |
| キーワード | （和） | ナノワイヤFET / GaAs / 絶縁ゲート / 低周波雑音 / ランダムテレグラフシグナル(RTS) / / / |
| （英） | Nanowire FET / GaAs / Insulator gate / Low-Freqiency Noise / Random Telegraph Signal / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 167, ED2011-43, pp. 31-34, 2011年7月. | |
| 資料番号 | ED2011-43 | |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2011-07-29 - 2011-07-30 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター |
| 開催地（英） | Multimedia system center, Nagaoka Univ. of Tech. |
| テーマ（和） | TFT（有機，酸化物），半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | TFT (organic,oxide), Semiconductor process (surface, interface, reliability), etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiNx絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Low-Frequency Noise in SiNx Insulator-Gate GaAs Etched Nanowire FETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノワイヤFET / Nanowire FET |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 絶縁ゲート / Insulator gate |
| キーワード(4)（和/英） | 低周波雑音 / Low-Freqiency Noise |
| キーワード(5)（和/英） | ランダムテレグラフシグナル(RTS) / Random Telegraph Signal |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村松 徹 / Toru Muramatsu / ムラマツ トオル |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 健輔 / Kensuke Miura / ミウラ ケンスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白鳥 悠太 / Yuta Shiratori / シラトリ ユウタ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛西 誠也 / Seiya Kasai / カサイ セイヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-29 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-43 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.167 |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) |
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