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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-07-29 13:55 AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御 ○深澤義道・脇 英司・伏見 浩（新日本無線）  ED2011-38 |
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| 抄録 | （和） | 高周波用AlGaN/GaN HFETにおいて，分極電荷を制御できればデバイス特性の向上に有効である．そこで，ECRスパッタで成膜したSiNを用いたMetal-Insulator-Metal (MIM) ゲート構造によりSiN/AlGaN界面における電荷を制御できるか否かを，電荷の発生機構および蓄積の観点から確認した．電荷の発生は，SiN膜中ではなく，SiN/AlGaN界面におけるPoole-Frenkel効果により律則されていることを，Ig -Vg特性の温度依存性から確認した．また，電荷の蓄積は， C-V特性で低周波数側での容量が増加したこと，および二層絶縁膜構造でドレイン電流が制御できないこと，から浮遊ゲート両端で起きている． |
| （英） | We introduce Metal-Insulator-Metal (MIM) gate AlGaN/GaN HFETs that control the electronic charge generated on SiN/AlGaN interface. The generation mechanisms of the electronic charge is Poole-Frenkel effect from temperature dependence of Ig -Vg characteristics. The MIM-HFETs accumulate the electronic charge at both sides of floating gate because the capacitance on low-frequency C-V characteristics increasesed and MIM-HFETs with double-layer-SiN structure did not control the drain current. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / GaN / MIM-HFET / 電荷制御 / SiN / ECRスパッタ / / |
| （英） | AlGaN / GaN / MIM-HFET / Electronic charge control / SiN films / ECR-sputtering / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 167, ED2011-38, pp. 7-12, 2011年7月. | |
| 資料番号 | ED2011-38 | |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2011-07-29 - 2011-07-30 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター |
| 開催地（英） | Multimedia system center, Nagaoka Univ. of Tech. |
| テーマ（和） | TFT（有機，酸化物），半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | TFT (organic,oxide), Semiconductor process (surface, interface, reliability), etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of Interface Electric Charge by MIM Gate Structure on AlGaN/GaN HFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | MIM-HFET / MIM-HFET |
| キーワード(4)（和/英） | 電荷制御 / Electronic charge control |
| キーワード(5)（和/英） | SiN / SiN films |
| キーワード(6)（和/英） | ECRスパッタ / ECR-sputtering |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 深澤 義道 / Yoshimichi Fukasawa / フカサワ ヨシミチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co., Ltd. (略称： New Japan Radio) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 脇 英司 / Eiji Waki / ワキ エイジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co., Ltd. (略称： New Japan Radio) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伏見 浩 / Hiroshi Fushimi / フシミ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 新日本無線株式会社 (略称： 新日本無線) New Japan Radio Co., Ltd. (略称： New Japan Radio) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-29 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-38 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.167 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) |
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