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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-07-30 12:05 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析 ○佐藤 純・町田史晴・原 紳介・藤代博記（東京理科大）  ED2011-53 |
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| 抄録 | （和） | テラヘルツ応用やポストSi CMOS等の次世代デバイスとして，高い電子移動度を示すInAsをチャネルに用いたデバイスが注目されている．InAsチャネルには基層との格子定数の違いにより，2軸性の歪みが加わる．本稿では，量子補正モンテカルロ法を用いて，チャネル層に加わる格子歪みがInAs HEMTのデバイス特性に与える影響を解析したので報告する． |
| （英） | Because of their extremely high electron mobility, InAs and related materials have attracted much attention as promising channel materials to realize the next generation devices for the terahertz applications and the post-Si CMOS. However, these channels generally suffer from the biaxial strain because of a lattice mismatch between the channel and the buffer. In this paper, we investigate the strain effects on the performances in the InAs HEMTs by using the quantum corrected Monte Carlo method. | |
| キーワード | （和） | InAs / HEMT / 歪み / バンド構造 / 衝突電離 / 量子補正モンテカルロ法 / 電子輸送特性 / |
| （英） | InAs / HEMT / Strain / Band Structure / Impact Ionization / Quantum-Corrected Monte Carlo method / Electron Transport / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 167, ED2011-53, pp. 79-84, 2011年7月. | |
| 資料番号 | ED2011-53 | |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-53 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2011-07-29 - 2011-07-30 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター |
| 開催地（英） | Multimedia system center, Nagaoka Univ. of Tech. |
| テーマ（和） | TFT（有機，酸化物），半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | TFT (organic,oxide), Semiconductor process (surface, interface, reliability), etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantum-Corrected Monte Carlo Analysis of Strained InAs HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 歪み / Strain |
| キーワード(4)（和/英） | バンド構造 / Band Structure |
| キーワード(5)（和/英） | 衝突電離 / Impact Ionization |
| キーワード(6)（和/英） | 量子補正モンテカルロ法 / Quantum-Corrected Monte Carlo method |
| キーワード(7)（和/英） | 電子輸送特性 / Electron Transport |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 純 / Jun Sato / サトウ ジュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 町田 史晴 / Fumiharu Machida / マチダ フミハル |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 紳介 / Shinsuke Hara / ハラ シンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤代 博記 / Hiroki I. Fujishiro / フジシロ ヒロキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： TUS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-30 12:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-53 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.167 |
| ページ範囲 | pp.79-84 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) |
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