| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-07-30 13:55 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製 ○角田 梓・岩杉達矢・中谷公彦・中山幸二・森 雅之・前澤宏一（富山大）  ED2011-55 |
|
| 抄録 | （和） | 我々はこれまでに、Si(111)基板上に１原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を介して、高品質なInSb薄膜を2段階成長法により作製できることを報告してきた。最近、1層目の成長温度、蒸着レート、蒸着量といった成長条件を最適化することで、室温の電子移動度が約38,000cm2/Vsという非常に高品質なInSb薄膜(膜厚1m)を作製可能となった。この移動度は膜厚1mの試料における平均であるため、試料表面付近では移動度がさらに高い可能性がある。そのため、移動度の膜厚依存性を調査した。その結果、試料表面付近では61,000cm2/Vsという非常に高い電子移動度を持っていることが分かった。また、この高い電子移動度をもったInSb薄膜を用い、Si基板上のInSb MOSFET実現性を調べることを目的として、Al2O3 / InSb MOSダイオードを作製し、その特性を調べた。 |
| （英） | We have reported that high quality InSb films can be grown by surface reconstruction controlled epitaxy. In the growth, the growth of InSb film is carried out via InSb bilayer which is prepared by adsorption of In and Sb atoms onto a Si(111) surface. Recently, we have demonstrated that the 1m-thick InSb films with high electron mobility as high as 38,000 cm2/Vs at RT can be grown due to the optimization of growth conditions of 1st layer such as growth temperature, growth rate and thickness. Because this electron mobility is an average value in the sample, the region near the surface may indicate higher electron mobility. To check the thickness dependence of the electron mobility of the InSb film, we measured the in-depth profile of electrical properties. As a result, we found that the electron mobility near the surface was as high as 61,000 cm2/Vs. And we fabricated and characterized the Al2O3,/InSb-MOS diodes for realization of InSb MOSFET. | |
| キーワード | （和） | InSb / Si(111) / Step-Hall / ALD / Al2O3 / MOSダイオード / C-V特性 / |
| （英） | InSb / Si(111) / Step-Hall / ALD / Al2O3 / MOS diode / C-V characteristic / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 167, ED2011-55, pp. 91-96, 2011年7月. | |
| 資料番号 | ED2011-55 | |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-55 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2011-07-29 - 2011-07-30 |
| 開催地（和） | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター |
| 開催地（英） | Multimedia system center, Nagaoka Univ. of Tech. |
| テーマ（和） | TFT（有機，酸化物），半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | TFT (organic,oxide), Semiconductor process (surface, interface, reliability), etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 表面再構成制御成長法で成長したSi(111)基板上のInSb MOSダイオードの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InSb MOS diodes on a Si(111) substrate grown by surface reconstruction ontrolled epitaxy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(2)（和/英） | Si(111) / Si(111) |
| キーワード(3)（和/英） | Step-Hall / Step-Hall |
| キーワード(4)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(5)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(6)（和/英） | MOSダイオード / MOS diode |
| キーワード(7)（和/英） | C-V特性 / C-V characteristic |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角田 梓 / Azusa Kadoda / カドダ アズサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩杉 達矢 / Tatsuya Iwasugi / イワスギ タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中谷 公彦 / Kimihiko Nakatani / ナカタニ キミヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中山 幸二 / Koji Nakayama / ナカヤマ コウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 雅之 / Masayuki Mori / モリ マサユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前澤 宏一 / Koichi Maezawa / マエザワ コウイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | 富山大学 (略称： 富山大) University of Toyama (略称： Univ. of Toyama) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-07-30 13:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-55 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.167 |
| ページ範囲 | pp.91-96 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-07-22 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]