講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-08-26 13:30
波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 ○高田 幹(東大)・田中 有(富士通研/QDレーザ)・松本 武(富士通研)・近藤勇人・持田励雄・前多泰成・山口正臣・影山健生・武政敬三・西 研一(QDレーザ)・中田義昭・山本剛之(富士通研/QDレーザ)・菅原 充(QDレーザ)・荒川泰彦(東大) EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51 |
抄録 |
(和) |
光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON (Passive Optical Network) システムにおける上り用光源への適用に向けて, 波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザの研究開発を行っている. 高密度量子ドットの適用による高利得化, 及び共振器長の調整によって光出力の向上を図り, -10ºCから85ºCにおいて, 単一モード発振での温度安定な電流-光出力特性と, +4.5dBmと高いファイバ光出力条件での10.3Gb/s直接変調動作を実現した. |
(英) |
1.27-μm high-density quantum-dot (QD) DFB lasers for access network applications such as 10G-EPON are presented. Fabricated QD DFB lasers show temperature-stable light-current characteristics with stable single-mode oscillation. Furthermore, owing to the high optical gain of QD active layers and long cavity design, 10.3-Gb/s operations with a high averaged output power of + 4.5 dBm are demonstrated in the temperature range of -10ºC to 85ºC. |
キーワード |
(和) |
量子ドット / distributed-feedback (DFB) レーザ / 直接変調 / 10G-EPON / XG-PON / / / |
(英) |
quantum dot / distributed-feedback (DFB) laser / direct modulation / 10G-EPON / XG-PON / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 186, LQE2011-51, pp. 109-112, 2011年8月. |
資料番号 |
LQE2011-51 |
発行日 |
2011-08-18 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51 |
研究会情報 |
研究会 |
CPM OPE LQE EMD |
開催期間 |
2011-08-25 - 2011-08-26 |
開催地(和) |
北海道大学 創成科学研究棟 5階 大会議室 |
開催地(英) |
Hokkaido Univ. |
テーマ(和) |
光部品・電子デバイス実装技術、一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
LQE |
会議コード |
2011-08-CPM-OPE-LQE-EMD |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Research and Development of 1.27-μm High-Density Quantum-Dot DFB Lasers |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
量子ドット / quantum dot |
キーワード(2)(和/英) |
distributed-feedback (DFB) レーザ / distributed-feedback (DFB) laser |
キーワード(3)(和/英) |
直接変調 / direct modulation |
キーワード(4)(和/英) |
10G-EPON / 10G-EPON |
キーワード(5)(和/英) |
XG-PON / XG-PON |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高田 幹 / Kan Takada / タカダ カン |
第1著者 所属(和/英) |
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 (略称: 東大)
Institute for Nano Quantum Information Electronics, the University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
田中 有 / Yu Tanaka / タナカ ユウ |
第2著者 所属(和/英) |
(株)富士通研究所/(株)QDレーザ (略称: 富士通研/QDレーザ)
Fujitsu Laboratories Ltd./QD Laser, Inc. (略称: Fujitsu Lab./QDL) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松本 武 / Takeshi Matsumoto / マツモト タケシ |
第3著者 所属(和/英) |
(株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
近藤 勇人 / Hayato Kondo / コンドウ ハヤト |
第4著者 所属(和/英) |
(株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
持田 励雄 / Reio Mochida / モチダ レイオ |
第5著者 所属(和/英) |
(株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
前多 泰成 / Yasunari Maeda / マエダ ヤスナリ |
第6著者 所属(和/英) |
(株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山口 正臣 / Masaomi Yamaguchi / ヤマグチ マサオミ |
第7著者 所属(和/英) |
(株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
影山 健生 / Takeo Kageyama / カゲヤマ タケオ |
第8著者 所属(和/英) |
(株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
武政 敬三 / Keizo Takemasa / タケマサ ケイゾウ |
第9著者 所属(和/英) |
(株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
西 研一 / Kenichi Nishi / ニシ ケンイチ |
第10著者 所属(和/英) |
(株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
中田 義昭 / Yoshiaki Nakata / ナカタ ヨシアキ |
第11著者 所属(和/英) |
(株)富士通研究所/(株)QDレーザ (略称: 富士通研/QDレーザ)
Fujitsu Laboratories Ltd./QD Laser, Inc. (略称: Fujitsu Lab./QDL) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
山本 剛之 / Tsuyoshi Yamamoto / ヤマモト ツヨシ |
第12著者 所属(和/英) |
(株)富士通研究所/(株)QDレーザ (略称: 富士通研/QDレーザ)
Fujitsu Laboratories Ltd./QD Laser, Inc. (略称: Fujitsu Lab./QDL) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
菅原 充 / Mitsuru Sugawara / スガワラ ミツル |
第13著者 所属(和/英) |
(株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QDL) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / アラカワ ヤスヒコ |
第14著者 所属(和/英) |
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構/東京大学生産技術研究所 (略称: 東大)
Institute for Nano Quantum Information Electronics/Institute of Industrial Science, the University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第21著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第22著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第23著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第24著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第25著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第26著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第27著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第29著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第32著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第33著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第34著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第35著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第36著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2011-08-26 13:30:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
LQE |
資料番号 |
EMD2011-53, CPM2011-97, OPE2011-88, LQE2011-51 |
巻番号(vol) |
vol.111 |
号番号(no) |
no.183(EMD), no.184(CPM), no.185(OPE), no.186(LQE) |
ページ範囲 |
pp.109-112 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2011-08-18 (EMD, CPM, OPE, LQE) |