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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-09-26 11:10 標準CMOSロジックプロセスで実現する不揮発性化した再構成デバイスの検討 ○国光修司・寺内 衛・谷川一哉・弘中哲夫（広島市大）・佐藤正幸・石黒 隆（太陽誘電）  RECONF2011-23 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では，新しい再構成デバイスであるMPLDにおいて，不揮発性PLDを実現するための検討を行う． MPLDは，メモリベースの再構成デバイスであり 基本素子であるMLUTを論理と配線の双方として用いることによりFPGAと同等の機能を実現する． そのMLUTが現在SRAMで構成されていることに着目し，そこに不揮発性メモリを適用することで不揮発性MPLDを実現する． その際，MPLDは動作時にメモリの非同期読み出しを行うことや，不揮発性メモリの書 き込みに高い電圧が必要なことから，単純なメモリの置き換えだけでは不揮発性MPLDを実現できない． また，フラッシュメモリの専用プロセスを用いることでコストが上がるという問題点がある． そこで，標準ロジックプロセスのみで不揮発性を実現できるメモリを検討し，各制御回路を設計した． シミュレーション結果より，MPLDを不揮発性化した際，MPLDとしての動作が可能なことを確認した． |
| （英） | In this paper, we consider the realization of nonvolatile PLD, based on the new recon gurable device architecture MPLD. MPLD (Memory based PLD) realize LUT and switch function equivalent in FPGA by using MLUT ( Multi-directional Look Up Tables) as its fundamental element. In the conventional implementation SRAM cell arrays are used in implementing MLUTs. In this paper, we replace the SRAM cell with nonvolatile memory cells to implement the nonvolatile MPLD. In that case, simply replacing the memory cell arrays are not enough to implement non-volatile MPLD. This is because MPLD requires asynchronous memory read operations on logic mode, and high voltages on writing the non-volatile memory cell arrays. Moreover, there is a problem that the cost goes up by using a ash memory process. So we considered designing the MLUT by using a nonvolatile memory that is possible to manufacture in the standard CMOS logic process, and designed the control circuits for it. From the simulation result, we con rmed MPLD with a nonvolatile characteristic can function as a normal MPLD. Key words MPLD, memory, nonvolatile,standard logic process,simulation |
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| キーワード | （和） | MPLD / メモリ / 不揮発性 / 標準ロジックプロセス / シミュレーション / / / |
| （英） | MPLD / memory / nonvolatile / standard logic process / simulation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 218, RECONF2011-23, pp. 7-12, 2011年9月. | |
| 資料番号 | RECONF2011-23 | |
| 発行日 | 2011-09-19 (RECONF) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | RECONF2011-23 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | RECONF |
| 開催期間 | 2011-09-26 - 2011-09-27 |
| 開催地（和） | 名古屋大学(NCES) |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | リコンフィギャラブルシステム、一般 |
| テーマ（英） | Reconfigurable Systems, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | RECONF |
| 会議コード | 2011-09-RECONF |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 標準CMOSロジックプロセスで実現する不揮発性化した再構成デバイスの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Feasibility study of nonvolatile reconfiguralbe device by using a standard CMOS logic process |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MPLD / MPLD |
| キーワード(2)（和/英） | メモリ / memory |
| キーワード(3)（和/英） | 不揮発性 / nonvolatile |
| キーワード(4)（和/英） | 標準ロジックプロセス / standard logic process |
| キーワード(5)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 国光 修司 / Shuji Kunimitsu / クニミツ シュウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島市立大学 (略称： 広島市大) Hiroshima City Univercity (略称： HCU) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺内 衛 / Mamoru Terauchi / テラウチ マモル |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島市立大学 (略称： 広島市大) Hiroshima City Univercity (略称： HCU) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷川 一哉 / Kazuya Tanigawa / タニガワ カズヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島市立大学 (略称： 広島市大) Hiroshima City Univercity (略称： HCU) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 弘中 哲夫 / Tetsuo Hironaka / ヒロナカ テツオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島市立大学 (略称： 広島市大) Hiroshima City Univercity (略称： HCU) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 正幸 / Masayuki Sato / サトウ マサユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 太陽誘電株式会社 (略称： 太陽誘電) TAIYO YUDEN CO., LTD. (略称： TAIYO YUDEN) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石黒 隆 / Takashi Ishiguro / イシグロ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 太陽誘電株式会社 (略称： 太陽誘電) TAIYO YUDEN CO., LTD. (略称： TAIYO YUDEN) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-09-26 11:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | RECONF |
| 資料番号 | RECONF2011-23 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.218 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-09-19 (RECONF) |
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