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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-09-27 09:25 IBAD法を用いたc軸平行配向AlN薄膜の作製および極性反転すべり共振子への応用 ○鈴木雅視・菅沼信広・柳谷隆彦（名工大）  US2011-54 |
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| 抄録 | （和） | イオンビームアシスト成膜法(IBAD法)を用いてc軸が平行に配向したAlN薄膜の作製を試みた．3 kVで加速されたN2/Arイオンビームを成膜中に照射することによりc軸平行配向AlN薄膜が形成されることがわかった．すべりモード共振子を作製し, 圧電特性の評価を行った結果，純横波のみを励振し，すべりモード電気機械結合係数k15は0.05となった．c軸の面内方向はビームの照射方向と一致したため，ビーム方向により面内の成長方向を制御できると考えられる．そこで照射方向を反転させた４層のc軸平行極性反転AlN多層膜共振子の作製した．この共振子では高次モードの励振が観測され，極性反転構造が形成されていることを確認した． |
| （英） | c-axis parallel polarizaion-inverted multi-layered AlN films were fabricated by ion beam assisted deposition(IBAD). c-axis parallel orientation was formed under the 3 kV accelerated ion beam irradiation. Shear mode resonator was prepared to investigate piezoelectric properties of the film. Only pure shear wave without any longitudinal wave was excited in the resonators. k15 was determined to be 0.05. We considered that in-plane crystal growth direction should to be determined by the ion beam irradiation direction. c-axis parallel multilayer AlN film was fabricated by inverting in-plane beam irradiation direction. High order mode resonance was observed in the resonators, showing that polarization were inverted in the multilayer AlN films. |
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| キーワード | （和） | c軸平行配向AlN薄膜 / イオンビームアシスト成膜法(IBAD 法) / 純横波 / SMR / c軸平行極性反転多層膜 / 極性反転すべり共振子 / / |
| （英） | c-axis parallel AlN film / Ion beam assisted deposition (IBAD) / Pure shear wave / SMR / c-axis parallel Polarization inverted multilayer film / Polarization inverted shear mode resonator / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 215, US2011-54, pp. 43-48, 2011年9月. | |
| 資料番号 | US2011-54 | |
| 発行日 | 2011-09-19 (US) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | US2011-54 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
| 開催期間 | 2011-09-26 - 2011-09-27 |
| 開催地（和） | 東北大学 工学部 電子情報システム・応物系 南講義棟103会議室 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | General |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | US |
| 会議コード | 2011-09-US |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | IBAD法を用いたc軸平行配向AlN薄膜の作製および極性反転すべり共振子への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Shear mode resonators consisting of polarization-inverted c-axis parallel AlN layers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | c軸平行配向AlN薄膜 / c-axis parallel AlN film |
| キーワード(2)（和/英） | イオンビームアシスト成膜法(IBAD 法) / Ion beam assisted deposition (IBAD) |
| キーワード(3)（和/英） | 純横波 / Pure shear wave |
| キーワード(4)（和/英） | SMR / SMR |
| キーワード(5)（和/英） | c軸平行極性反転多層膜 / c-axis parallel Polarization inverted multilayer film |
| キーワード(6)（和/英） | 極性反転すべり共振子 / Polarization inverted shear mode resonator |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 雅視 / Masashi Suzuki / スズキ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菅沼 信広 / Nobuhiro Suganuma / スガヌマ ノブヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳谷 隆彦 / Takahiko Yanagitani / ヤナギタニ タカヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NIT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-09-27 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | US |
| 資料番号 | US2011-54 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.215 |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-09-19 (US) |
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