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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-14 16:00 ペンタセン多結晶薄膜における階層的結晶構造とキャリア輸送制限要因の関係 ○松原亮介（奈良先端大）・野村俊夫（千葉大）・大橋 昇（産総研）・酒井正俊・工藤一浩・中村雅一（千葉大）  OME2011-55 |
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| 抄録 | （和） | SiO2上に成長したペンタセン多結晶薄膜における結晶構造と電子帯構造の関係を明らかにするため、放射光を用いた微小角入射X線回折を用いて、結晶子サイズと結晶の不均一歪みを評価した。その結果、回折ピークの半値幅に対する不均一歪みの影響はほとんどなく、ピーク半値幅は結晶子サイズで決まっていることが明らかになった。結晶ドメインサイズを10倍以上変化させているにもかかわらず結晶子サイズは25-50 nmとほぼ一定であった。また、結晶子サイズは我々のグループが報告したHOMOバンド端ゆらぎの空間的な周期および基板表面の凹凸周期とほぼ一致していた。この結果は、SiO2表面の微小な凹凸によって結晶子サイズが決まっており、長距離にわたって発生するペンタセンの格子の乱れによってHOMOバンド端ゆらぎが生じていることを強く示唆している。 |
| （英） | To clarify relationship between crystallographic and electronic structures in pentacene polycrystalline films grown on SiO2, in-plane crystallite size and random strain of the films were analyzed by grazing incidence X-ray diffraction (GIXD) using synchrotron radiation source. The results indicate that the diffraction peak width is not determined by random strain but by crystallite size. The crystallite size remains constant within the range of 25-50 nm even when the size of polycrystalline domain, or crystal grain, increases more than tenfold by elevating the growth temperature. The crystallite size agrees well with characteristic periods of both HOMO-band-edge fluctuations in pentacene films, which was reported in our previous paper, and surface corrugation of the substrate. These facts strongly suggest that roughness of the SiO2 surface limits the crystallite size and the interruption of long-range order in pentacene lattice introduces the HOMO-band-edge fluctuation. | |
| キーワード | （和） | ペンタセン / AFMポテンショメトリ / 微小角入射X線回折 / 結晶子 / 電子帯構造 / / / |
| （英） | Pentacene / AFM Potentiometry / Grazing Incidence X-ray Diffraction / Crystallite / Electronic Band Structure / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 236, OME2011-55, pp. 37-42, 2011年10月. | |
| 資料番号 | OME2011-55 | |
| 発行日 | 2011-10-07 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2011-55 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2011-10-14 - 2011-10-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 B3-2 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-2 |
| テーマ（和） | 有機デバイス全般・一般 |
| テーマ（英） | General Aspects and Miscellaneous Organic Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2011-10-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ペンタセン多結晶薄膜における階層的結晶構造とキャリア輸送制限要因の関係 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Relationship between Crystal Order and Limiting Factors of Carrier Transport in Pentacene Polycrystalline film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ペンタセン / Pentacene |
| キーワード(2)（和/英） | AFMポテンショメトリ / AFM Potentiometry |
| キーワード(3)（和/英） | 微小角入射X線回折 / Grazing Incidence X-ray Diffraction |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶子 / Crystallite |
| キーワード(5)（和/英） | 電子帯構造 / Electronic Band Structure |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松原 亮介 / Ryosuke Matsubara / マツバラ リョウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Advanced Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野村 俊夫 / Toshio Nomura / ノムラ トシオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大橋 昇 / Noboru Ohashi / オオハシ ノボル |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 正俊 / Masatoshi Sakai / |
| 第4著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 一浩 / Kazuhiro Kudo / クドウ カズヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 雅一 / Masakazu Nakamura / ナカムラ マサカズ |
| 第6著者 所属（和/英） | 千葉大学 (略称： 千葉大) Chiba University (略称： Chiba Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-14 16:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2011-55 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.236 |
| ページ範囲 | pp.37-42 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-10-07 (OME) |
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