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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-14 15:40 CTAB/GaAsヘテロ構造の電気的特性 ○田口真理・小澤あつみ・今井 元（日本女子大）  OME2011-54 |
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| 抄録 | （和） | 我々は有機材料によるp-nホモ接合を実現することを目的とし，界面活性剤であるCetyl Trimethyl Ammonium Bromide：CTABと，不純物にヨウ化カリウム：KIを用いて試料を作製した．これまで、抵抗率、温度依存性、光導電性などの測定を行い，半導体的性質の有無を検討してきた．また、CTAB試料でホモp-n接合試料を作製し、ダイオード特性が得られた． 今回，CTAB試料がp型，n型に作り分けられているかを確認するために，p- C16TAB /n-GaAsとn-C16TAB/p-GaAsの2種類のヘテロ接合試料を作製した．作製した試料のI-V特性と整流特性を測定し，特性評価を行った．また，ヘテロ接合試料のバンド構造の検討を行い，電子親和力が約2.6eVであると推定できた． |
| （英） | We have used a surfactant material of Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide: CTAB as an organic material. We have already evaluated the electrical and optical properties of this material, such as the resistivity, its temperature dependence, and the spectral dependence of the photoconductivity. Furthermore, we made the homo-junction sample using the n-type and p-type CTAB materials. The I-V characteristics were reported to be very similar to the p-n homo-junction diode characteristics. We fabricated two different the hetero-structure diodes using p-C16TAB/ n-GaAs and n-C16TAB/p-GaAs. We measured I-V characteristics to evaluate the diode performance of them, and then we examined the rectifying characteristics. Moreover, from the I-V characteristics, we estimated the electron affinity of C16TAB. | |
| キーワード | （和） | 有機材料 / 有機/無機ヘテロ接合 / / / / / / |
| （英） | Organic material / The hetero-structure diodes / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 236, OME2011-54, pp. 31-35, 2011年10月. | |
| 資料番号 | OME2011-54 | |
| 発行日 | 2011-10-07 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2011-54 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2011-10-14 - 2011-10-14 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 B3-2 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-2 |
| テーマ（和） | 有機デバイス全般・一般 |
| テーマ（英） | General Aspects and Miscellaneous Organic Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2011-10-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | CTAB/GaAsヘテロ構造の電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical property of CTAB/GaAs hetero-structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機材料 / Organic material |
| キーワード(2)（和/英） | 有機/無機ヘテロ接合 / The hetero-structure diodes |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田口 真理 / Mari Taguchi / タグチ マリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本女子大学 (略称： 日本女子大) Japan Woman's University (略称： JWU) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小澤 あつみ / Atsumi Ozawa / オザワ アツミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本女子大学 (略称： 日本女子大) Japan Woman's University (略称： JWU) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今井 元 / Hajime Imai / イマイ ハジメ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本女子大学 (略称： 日本女子大) Japan Woman's University (略称： JWU) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-14 15:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2011-54 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.236 |
| ページ範囲 | pp.31-35 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-10-07 (OME) |
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