| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2011-10-14 15:20
(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関 ○花田光聡・酒井正俊・石黒雅人(千葉大)・松原亮介(奈良先端大)・山内 博(千葉大)・中村雅一(奈良先端大)・工藤一浩(千葉大) OME2011-53 |
| 抄録 |
(和) |
これまで我々は、有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)を活性層とした電界効果トランジスタ(FET)を作製し、誘電応答の温度依存性の測定から280K以下の温度領域で強誘電性を見出した。そこで(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおいて、試料をゲート電圧により分極させた上で熱刺激電流(TSC)を測定し、この試料における自発分極の有無を検証した。その結果、ポーリングゲート電圧の極性の反転に対して対称で280K付近にピークを持つTSCが得られた。このことは、280K以下で自発分極が存在すること、及びこの温度を境に自発分極が解消することを示している。得られたTSCと誘電特性との間に見出された対応関係は280Kにおける強誘電転移の存在を支持する。 |
| (英) |
We have measured thermally stimulated current (TSC) attributed to relaxation of spontaneous polarization induced by poling-gate-voltage in β’-(BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline FET. A peak of TSC was observed at around 280K, which indicated abrupt relaxation of spontaneous polarization at 280K. Correlation between FE-TSC and dielectric properties observed in β’-(BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline FET support the existence of ferroelectric phase transition at 280K. |
| キーワード |
(和) |
電荷移動錯体 / モット絶縁体 / 強誘電体 / 電荷秩序 / 熱刺激電流 / / / |
| (英) |
Charge transfer complex / Mott insulator / Ferroelectricity / Charge order / Thermally stimulated current / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 236, OME2011-53, pp. 27-30, 2011年10月. |
| 資料番号 |
OME2011-53 |
| 発行日 |
2011-10-07 (OME) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
OME2011-53 |