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講演抄録/キーワード
講演名 2011-10-14 15:20
(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関
花田光聡酒井正俊石黒雅人千葉大)・松原亮介奈良先端大)・山内 博千葉大)・中村雅一奈良先端大)・工藤一浩千葉大OME2011-53
抄録 (和) これまで我々は、有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)を活性層とした電界効果トランジスタ(FET)を作製し、誘電応答の温度依存性の測定から280K以下の温度領域で強誘電性を見出した。そこで(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおいて、試料をゲート電圧により分極させた上で熱刺激電流(TSC)を測定し、この試料における自発分極の有無を検証した。その結果、ポーリングゲート電圧の極性の反転に対して対称で280K付近にピークを持つTSCが得られた。このことは、280K以下で自発分極が存在すること、及びこの温度を境に自発分極が解消することを示している。得られたTSCと誘電特性との間に見出された対応関係は280Kにおける強誘電転移の存在を支持する。 
(英) We have measured thermally stimulated current (TSC) attributed to relaxation of spontaneous polarization induced by poling-gate-voltage in β’-(BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline FET. A peak of TSC was observed at around 280K, which indicated abrupt relaxation of spontaneous polarization at 280K. Correlation between FE-TSC and dielectric properties observed in β’-(BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline FET support the existence of ferroelectric phase transition at 280K.
キーワード (和) 電荷移動錯体 / モット絶縁体 / 強誘電体 / 電荷秩序 / 熱刺激電流 / / /  
(英) Charge transfer complex / Mott insulator / Ferroelectricity / Charge order / Thermally stimulated current / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 236, OME2011-53, pp. 27-30, 2011年10月.
資料番号 OME2011-53 
発行日 2011-10-07 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2011-53

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2011-10-14 - 2011-10-14 
開催地(和) 機械振興会館 B3-2 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. B3-2 
テーマ(和) 有機デバイス全般・一般 
テーマ(英) General Aspects and Miscellaneous Organic Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2011-10-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Correlation between FE-TSC and dielectric properties observed in (BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline FET 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 電荷移動錯体 / Charge transfer complex  
キーワード(2)(和/英) モット絶縁体 / Mott insulator  
キーワード(3)(和/英) 強誘電体 / Ferroelectricity  
キーワード(4)(和/英) 電荷秩序 / Charge order  
キーワード(5)(和/英) 熱刺激電流 / Thermally stimulated current  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 花田 光聡 / Mitsutoshi Hanada / ハナダ ミツトシ
第1著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 酒井 正俊 / Masatoshi Sakai / サカイ マサトシ
第2著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 石黒 雅人 / Masato Ishiguro / イシグロ マサト
第3著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 松原 亮介 / Ryosuke Matsubara / マツバラ リョウスケ
第4著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
NAIST (略称: NAIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山内 博 / Hiroshi Yamauchi / ヤマウチ ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 雅一 / Masakazu Nakamura / ナカムラ マサカズ
第6著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
NAIST (略称: NAIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 工藤 一浩 / Kazuhiro Kudo / クドウ カズヒロ
第7著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-10-14 15:20:00 
発表時間 20分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2011-53 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.236 
ページ範囲 pp.27-30 
ページ数
発行日 2011-10-07 (OME) 


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