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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-20 09:00 小型PKGを用いた120W X帯GaN増幅器 ○前原宏昭・内田浩光・内海博三・西原 淳・大塚浩志・山中宏治・中山正敏（三菱電機）  MW2011-85 |
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| 抄録 | （和） | 本論文では小型PKG を用いたX 帯120W 内部整合GaN 高出力増幅器(HPA)の開発を報告する．レーダー用途のGaN-HPA は送信機モジュール小型化・高性能化の観点から小型で高出力である事が求められる．そこで，内部整合回路に誘電率Er=90 の高誘電率基板を採用することで，回路基板の小型化を行った．また，発熱を考慮した電流密度を見積もることで，高出力化が可能な最適ドレイン電圧が30～40V の間にある事を見出した．検討結果に基づいて試作を行い，PKG 寸法12.9mm×21.0mm，周波数9.6GHz で出力120W の小型で高出力な内部整合GaN-HPA を開発した． |
| （英） | In this paper, a small package internally matched GaN HEMT high power amplifier operating at X-band is presented. Radar applications of GaN-HPA are expected to be small size and high output performance in terms of miniaturization Transmitter Module. Thus, by employing Er=90 substrate, circuit size is drastically reduced. Moreover, operating drain voltage is optimized considering power density degradation due to self-heating. Finally, 120W output power is obtained from a 12.9mmx 21mm package internally matched GaN HEMT amplifier at 9.6GHz. | |
| キーワード | （和） | 内部整合高出力増幅器 / X帯 / 小型PKG / / / / / |
| （英） | internally matched amplifier / X-band / small package / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 250, MW2011-85, pp. 1-5, 2011年10月. | |
| 資料番号 | MW2011-85 | |
| 発行日 | 2011-10-13 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2011-85 |
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