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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-21 09:00 nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射 ○嶋脇秀隆・山崎勇人（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・若家冨士男・高井幹夫（阪大）  ED2011-66 |
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| 抄録 | （和） | He-Neレーザ（出力1 mW、波長633 nm）をp-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に照射し、放射電流特性、光応答特性等、電子放射への効果を調べた。レーザ照射により、しきい値電圧が低下すると共に、放射電流が約2桁増大した。メカニカルチョッパにより整形したパルス光の照射により、パルス周期・形状に応じたパルス状の放射電子ビームが得られた。 |
| （英） | Effect of laser illumination on electron emission from nc-Si MOS cathodes using heavy doped p-type Si substrates has been studied using a He-Ne laser at wavelength of 633 nm. The emission current was remarkably increased by illumination and a modulated electron beam was generated directly from the cathode under irradiation of pulsed laser light. | |
| キーワード | （和） | レーザ支援電子放射 / MOS冷陰極 / nc-Si / 変調電子ビーム / / / / |
| （英） | photoassisted electron emission / MOS cathode / nanocrystalline silicon / modulated electron beam / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 248, ED2011-66, pp. 33-36, 2011年10月. | |
| 資料番号 | ED2011-66 | |
| 発行日 | 2011-10-13 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2011-10-20 - 2011-10-21 |
| 開催地（和） | 八戸ポータルミュージアム はっち |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-10-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoassisted electron emission from nanocrystalline silicon based MOS cathodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザ支援電子放射 / photoassisted electron emission |
| キーワード(2)（和/英） | MOS冷陰極 / MOS cathode |
| キーワード(3)（和/英） | nc-Si / nanocrystalline silicon |
| キーワード(4)（和/英） | 変調電子ビーム / modulated electron beam |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋脇 秀隆 / Hidetaka Shimawaki / シマワキ ヒデタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 八戸工業大学 (略称： 八戸工大) Hachinohe Institute of Technology (略称： Hachinohe Inst. Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 勇人 / Yuto Yamazaki / ヤマザキ ユウト |
| 第2著者 所属（和/英） | 八戸工業大学 (略称： 八戸工大) Hachinohe Institute of Technology (略称： Hachinohe Inst. Technol.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo / ネオ ヨウイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 秀典 / Hidenori Mimura / ミムラ ヒデノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若家 冨士男 / Fujio Wakaya / ワカヤ フジオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高井 幹夫 / Mikio Takai / タカイ ミキオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-21 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-66 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.248 |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-10-13 (ED) |
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