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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-21 10:15 SiO2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性 ○諏訪智之・熊谷勇喜・寺本章伸（東北大）・木下豊彦・室隆桂之（高輝度光科学研究センター）・服部健雄・大見忠弘（東北大）  SDM2011-105 |
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| 抄録 | （和） | 酸素ラジカルおよび酸素分子で形成したSiO2膜について、Si 2pからの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを測定し、SiO2/Si界面近傍の組成遷移層の化学結合状態の違いを明らかにした。酸素ラジカルにより形成した酸化膜では、1) Si2+とSi3+は同じ層に存在し、 2) Si1+はSi2+とSi3+層より下の層に存在する。一方で、酸素分子により900 °Cで形成した酸化膜では、1) Si1+とSi2+は同じ層に存在し、2) Si1+とSi2+はSi3+層よりも下の層に存在する。 |
| （英） | Soft-x-ray-excited angle-resolved photoelectron spectroscopy studies on silicon dioxide films formed using oxygen radicals (OR) and oxygen molecules (OM) are reported. For SiO2 films formed using OR, 1) Si2+ and Si3+ are located in the same layer, 2) Si1+ is located beneath Si2+ or Si3+ layer. On the other hand, for SiO2 films formed using OM at 900 °C, 1) Si1+ and Si2+ are located in the same layer, 2) Si1+ and Si2+ are located beneath Si3+ layer. Therefore, the compositional and structural transition layer at the SiO2/Si interface formed using OR is clearly different from that formed using OM. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-105, pp. 49-52, 2011年10月. | |
| 資料番号 | SDM2011-105 | |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-105 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-10-20 - 2011-10-21 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. (Niche) |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process science and new process technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Clear Difference between the Chemical Structure of SiO2/Si Interfaces Formed Using Oxygen Radicals and Oxygen Molecules |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 熊谷 勇喜 / Yuki Kumagai / クマガイ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木下 豊彦 / Toyohiko Kinoshita / キノシタ トヨヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 室隆 桂之 / Takayuki Muro / ムロ タカユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称： JASRI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 服部 健雄 / Takeo Hattori / ハットリ タケオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-21 10:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-105 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) |
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