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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-10-21 09:50 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価 ○武井宗久・橋口裕樹・山口拓也・小瀬村大亮（明大）・永田晃基（明大/学振）・小椋厚志（明大）  SDM2011-104 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-104 |
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| 抄録 | （和） | 歪技術はポストスケーリング時代のブースターテクノロジーとして実用化されている。しかし、その詳細なメカニズムおよび評価手法は必ずしも確立していない。本研究では、まずラマン分光測定のための配線・ゲート電極の除去工程を開発し、市販32nm世代MOSFETのチャネルに印加された歪をラマン分光法およびNBD法により評価した。pMOSFETでは-3.75GPaと非常に大きな応力がチャネルに印加されていることが分かった。一方でnMOSFETでは、0.85GPa とpMOSFETに比べ小さな応力が印加されている。また、NBD測定からpMOSFETではチャネル中央に比べチャネル端で大きな歪が観測され、32nmにおいてもエッジ効果が存在することを明らかにした。nMOSFETでは一様な歪がチャネルに印加されていることが分かった。 |
| （英） | We performed strain analyses for 32-nm-node MPU by Raman measurements in conjunction with TEM observation. The channel surface was exposed by chemical etching and mechanical polishing for Raman Spectroscopy. From Raman measurements, the Raman peak from strained-Si in the pMOSFETs shifted toward higher frequency approximately 7.5 cm-1 which corresponds to -3.75 GPa (compressive) with the assumption of the uni-axial stress along the channel direction. On the other hand, the Raman peak shift from strained-Si in the nMOSFETs was -1.7 cm-1 corresponding to the 0.85 GPa (tensile) with the assumption of the uni-axial stress. From NBD measurements, the compressive strain at the channel edge was larger than that at the channel center in pMOSFETs. On the other hand, the tensile strain in nMOSFETs was induced uniformly in the channel region. We believe understanding and control of the channel strain introduction with precise measurement are indispensable in the state-of-the-art CMOSFET technology. | |
| キーワード | （和） | ラマン分光法 / NBD / 歪シリコン / チャネル / eSiGe / SMT / / |
| （英） | Raman spectroscopy / NBD / Strained-Si / channel / eSiGe / SMT / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 249, SDM2011-104, pp. 43-48, 2011年10月. | |
| 資料番号 | SDM2011-104 | |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-104 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-104 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-10-20 - 2011-10-21 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. (Niche) |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process science and new process technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Channel strain measurements in 32nm-node CMOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ラマン分光法 / Raman spectroscopy |
| キーワード(2)（和/英） | NBD / NBD |
| キーワード(3)（和/英） | 歪シリコン / Strained-Si |
| キーワード(4)（和/英） | チャネル / channel |
| キーワード(5)（和/英） | eSiGe / eSiGe |
| キーワード(6)（和/英） | SMT / SMT |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武井 宗久 / Munehisa Takei / タケイ ムネヒサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋口 裕樹 / Hiroki Hashiguchi / ハシグチ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 拓也 / Takuya Yamaguchi / ヤマグチ タクヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小瀬村 大亮 / Daisuke Kosemura / コセムラ ダイスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永田 晃基 / Kohki Nagata / ナガタ コウキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大/学振) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 明治大学 (略称： 明大) Meiji University (略称： Meiji Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-10-21 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-104 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-10-13 (SDM) |
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