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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-11 11:15 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 ～ EMC-MDシミュレーションによる検討 ～ ○神岡武文（早大/JST）・今井裕也（早大）・大毛利健治・白石賢二（筑波大/JST）・鎌倉良成（阪大/JST）・渡邉孝信（早大/JST）  SDM2011-123 |
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| 抄録 | （和） | キャリア輸送のチャネル形状依存性をモンテカルロ／分子動力学（EMC/MD）シミュレーションにより調査した．非対称なホーン形状チャネルでは，従来の直線形状と比較して電流密度が増加した．原因として，傾いたチャネル側壁での界面散乱によるキャリア運動量の前方収束が考えられる．このような効果は，準バリスティックなキャリア輸送となる短チャネルデバイスにおいて顕在化すると考えられる． |
| （英） | Effect of channel shape on nano-scale carrier transport is studied by using the ensemble Monte-Carlo / molecular dynamics method (EMC/MD). Carrier transport in horn-shaped asymmetric channel which widen from source to drain sides is simulated by comparing that in the conventional straight channels. The obtained conductance of the horn-shaped channels is larger than that of the straight channel, as a result of the enhancement of the carrier velocity. This can be attributed to the collimation effect of the asymmetric channel peculiar in the quasi-ballistic carrier transport regime. | |
| キーワード | （和） | EMC/MD法 / MOSFET / 非対称チャネル / コリメーション効果 / バリスティック伝導 / / / |
| （英） | EMC/MD method / MOSFET / asymmetric channel / collimation effect / ballistic transport / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 281, SDM2011-123, pp. 45-50, 2011年11月. | |
| 資料番号 | SDM2011-123 | |
| 発行日 | 2011-11-03 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-123 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-11-10 - 2011-11-11 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit Simulations, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 |
| サブタイトル（和） | EMC-MDシミュレーションによる検討 |
| タイトル（英） | Enhancement of current density in asymmetric horn-shaped channel |
| サブタイトル（英） | Ensemble Monte-Carlo/Molecular Dynamics Simulation |
| キーワード(1)（和/英） | EMC/MD法 / EMC/MD method |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 非対称チャネル / asymmetric channel |
| キーワード(4)（和/英） | コリメーション効果 / collimation effect |
| キーワード(5)（和/英） | バリスティック伝導 / ballistic transport |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神岡 武文 / Takefumi Kamioka / カミオカ タケフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 早稲田大学/JST-CREST (略称： 早大/JST) Waseda University/JST-CREST (略称： Waseda Univ./JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今井 裕也 / Hiroya Imai / イマイ ヒロヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 早稲田大学 (略称： 早大) Waseda University (略称： Waseda Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大毛利 健治 / Kenji Ohmori / オオモリ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 筑波大学/JST-CREST (略称： 筑波大/JST) University of Tsukuba/JST-CREST (略称： Univ. of Tsukuba/JST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白石 賢二 / Kenji Shiraishi / シライシ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 筑波大学/JST-CREST (略称： 筑波大/JST) University of Tsukuba/JST-CREST (略称： Univ. of Tsukuba/JST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌倉 良成 / Yoshinari Kamakura / カマクラ ヨシナリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科/JST-CREST (略称： 阪大/JST) Osaka University/JST-CREST (略称： Osaka Univ./JST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邉 孝信 / Takanobu Watanabe / ワタナベ タカノブ |
| 第6著者 所属（和/英） | 早稲田大学/JST-CREST (略称： 早大/JST) Waseda University/JST-CREST (略称： Waseda Univ./JST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-11 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-123 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.281 |
| ページ範囲 | pp.45-50 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-11-03 (SDM) |
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