講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-11-11 15:20
極微細MOSFETにおけるチャネル長変調係数のゲート電圧依存性 ○廣木 彰・尹 鍾鐵(京都工繊大) SDM2011-128 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-128 |
抄録 |
(和) |
極微細MOSFETのドレイン電流解析モデルにおいて,飽和ドレイン電流の特性を決定するチャネル長変調係数は,ディジタル回路における遅延特性を特徴付けるのみならず,アナログ回路特性を決定付ける重要なパラメータである.本報告では,ゲート長が20nmレベルのMOSFETのドレイン電流の実測値を用い,チャネル長変調係数のゲート電圧依存性をモデル化した.さらに,回路シミュレーションにより,ソース・ドレイン寄生抵抗のモデルパラメータへ影響を検討し,チャネル長変調係数のゲート電圧依存性が,極微細MOSFETの内因的な特性であることを見出した. |
(英) |
In modeling the drain current for nanoscale MOSFETs, the channel length modulation coefficient $\lambda$, which characterizes the saturation drain current, is an essential parameter. The coefficient $\lambda$ strongly affects the characteristics of the digital circuits as well as the analog circuits. In this report, the gate voltage dependence of the coefficient $\lambda$ is modeled for 20nm MOSFETs. And the effect of the source and drain resistances on the model parameters is investigated by using circuit simulation. It is found that the gate voltage dependence of the parameter $\lambda$ is an intrinsic characteristics for nanoscale MOSFETs. |
キーワード |
(和) |
ドレイン電流解析モデル / チャネル長変調係数 / ソース・ドレイン抵抗 / / / / / |
(英) |
Analytical Drain Current Model / Channel Length Modulation Coefficient / Source and Drain Resistances / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 281, SDM2011-128, pp. 75-80, 2011年11月. |
資料番号 |
SDM2011-128 |
発行日 |
2011-11-03 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2011-128 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-128 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM |
開催期間 |
2011-11-10 - 2011-11-11 |
開催地(和) |
機械振興会館 |
開催地(英) |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
テーマ(和) |
プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
テーマ(英) |
Process, Device, Circuit Simulations, etc |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2011-11-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
極微細MOSFETにおけるチャネル長変調係数のゲート電圧依存性 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Gate Voltage Dependence of Channel Length Modulation Coefficient for Nanoscale MOSFETs |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
ドレイン電流解析モデル / Analytical Drain Current Model |
キーワード(2)(和/英) |
チャネル長変調係数 / Channel Length Modulation Coefficient |
キーワード(3)(和/英) |
ソース・ドレイン抵抗 / Source and Drain Resistances |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
廣木 彰 / Akira Hiroki / ヒロキ アキラ |
第1著者 所属(和/英) |
京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: Kyoto Institute of Tech.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
尹 鍾鐵 / Jong Chul Yoon / ユン チョンチョル |
第2著者 所属(和/英) |
京都工芸繊維大学 (略称: 京都工繊大)
Kyoto Institute of Technology (略称: Kyoto Institute of Tech.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2011-11-11 15:20:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
SDM2011-128 |
巻番号(vol) |
vol.111 |
号番号(no) |
no.281 |
ページ範囲 |
pp.75-80 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2011-11-03 (SDM) |