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講演抄録/キーワード
講演名 2011-11-11 10:50
摂動法的な弾道・準弾道円筒形GAA-MOSFET解析簡易モデルにおける回路シミュレーション
程 賀名大/JST)・宇野重康立命館大/JST)・沼田達宏名大/JST)・中里和郎名大SDM2011-122 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2011-122
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文献情報 信学技報, vol. 111, no. 281, SDM2011-122, pp. 39-43, 2011年11月.
資料番号 SDM2011-122 
発行日 2011-11-03 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-11-10 - 2011-11-11 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulations, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 摂動法的な弾道・準弾道円筒形GAA-MOSFET解析簡易モデルにおける回路シミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Analytical Compact Model Using Perturbation Method for Circuit Simulation of Ballistic and Quasi-ballistic Gate-All-Around MOSFET with Cylindrical Cross Section 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 程 賀 / He Cheng / テイ ガ
第1著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大/JST)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宇野 重康 / Shigeyasu Uno / ウノ シゲヤス
第2著者 所属(和/英) 立命館大学 (略称: 立命館大/JST)
Ritsumeikan University (略称: Ritsumeikan Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 沼田 達宏 / Tatsuhiro Numata / ヌマタ タツヒロ
第3著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大/JST)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中里 和郎 / Kazuo Nakazato / ナカザト カズオ
第4著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-11-11 10:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2011-122 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.281 
ページ範囲 pp.39-43 
ページ数
発行日 2011-11-03 (SDM) 


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