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講演抄録/キーワード
講演名 2011-11-11 14:40
積層方式Chain構造PRAMの設計法
加藤 翔渡辺重佳湘南工科大SDM2011-127
抄録 (和) NAND型フラッシュメモリ以上の低コスト化が期待出来る、Chain構造を縦方向に積層して実現する積層方式Chain構造PRAMを新たに提案した。そのメモリの基本構成、Chain構造固有のメモリセル設計法、読み出し書き込み方式について発表する。 
(英) Stacked type chain PRAM which enables to realize lower cost than NAND flash memory has been newly proposed. Cell structure, core circuit, and the design method for realizing stable read and write operation for the stacked type chain PRAM have been described. The newly proposed stacked type chain PRAM is apromising candidate for realizing high-speed, low-cost, future non-volatile semiconductor memory.
キーワード (和) 不揮発性メモリ / PRAM / 相変化素子 / Chain構造 / / / /  
(英) Non-volatile memory / PRAM / phase change material / Chain structure / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 281, SDM2011-127, pp. 69-74, 2011年11月.
資料番号 SDM2011-127 
発行日 2011-11-03 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2011-127

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2011-11-10 - 2011-11-11 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit Simulations, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2011-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 積層方式Chain構造PRAMの設計法 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Design Technology of stacked Type Chain PRAM 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 不揮発性メモリ / Non-volatile memory  
キーワード(2)(和/英) PRAM / PRAM  
キーワード(3)(和/英) 相変化素子 / phase change material  
キーワード(4)(和/英) Chain構造 / Chain structure  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 翔 / Sho Kato / カトウ ショウ
第1著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: SIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe / ワタナベ シゲヨシ
第2著者 所属(和/英) 湘南工科大学 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology (略称: SIT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-11-11 14:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2011-127 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.281 
ページ範囲 pp.69-74 
ページ数
発行日 2011-11-03 (SDM) 


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