| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-17 15:15 AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析 ○細川大志・井川裕介・木尾勇介・敖 金平・大野泰夫（徳島大）  ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 |
|
| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN HFETの電流コラプス機構解析を目的として、ストレス印加後の回復過程の解析を行なった。回復過程における光照射実験から伝導帯から1.9eV～2.6eVのトラップが負帯電していると考えられる。しかし、回復過程で観測された約270秒の時定数にはトラップからの電子放出特有の温度依存性がほとんど無かった。ここで観測した270秒程度の回復はトラップからの電子の放出ではなく、バンド間トンネルによるホール生成などの別の機構による回復と考えられる。 |
| （英） | The recovery process of AlGaN/GaN HFET current collapse is measured. From LED light irradiation experiments, it is estimated that the energy level of the traps responsible for current collapse lies between 1.9eV and 2.6eV from conduction band. The recovery time constant around 270s, however, has almost no temperature dependency indicating not by the electron emission from the traps. It is estimated that the observed recovery may be not related to direct trap mechanisms but other processes such as hole generation by band to band tunneling. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN / HFET / 電流コラプス / 深い準位 / バンド間トンネル / / / |
| （英） | AlGaN/GaN / HFET / current collapse / deep level / band to band tunneling / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 290, ED2011-82, pp. 43-48, 2011年11月. | |
| 資料番号 | ED2011-82 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-82 CPM2011-131 LQE2011-105 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Recovery process in AlGaN/GaN HFET Current Collapse |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | 電流コラプス / current collapse |
| キーワード(4)（和/英） | 深い準位 / deep level |
| キーワード(5)（和/英） | バンド間トンネル / band to band tunneling |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細川 大志 / Taishi Hosokawa / ホソカワ タイシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院/ソシオテクノサイエンス研究部 (略称： 徳島大) Tokushima University (略称： Tokushima Univ./STS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井川 裕介 / Yusuke Ikawa / イカワ ユウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院/ソシオテクノサイエンス研究部 (略称： 徳島大) Tokushima University (略称： Tokushima Univ./STS) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木尾 勇介 / Yusuke Kio / キオ ユウスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院/ソシオテクノサイエンス研究部 (略称： 徳島大) Tokushima University (略称： Tokushima Univ./STS) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 敖 金平 / Jin-Ping Ao / アオ ジンピン |
| 第4著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院/ソシオテクノサイエンス研究部 (略称： 徳島大) Tokushima University (略称： Tokushima Univ./STS) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大野 泰夫 / Yasuo Ohno / オオノ ヤスオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 徳島大学大学院/ソシオテクノサイエンス研究部 (略称： 徳島大) Tokushima University (略称： Tokushima Univ./STS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-17 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-82, CPM2011-131, LQE2011-105 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.43-48 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]