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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-17 15:40 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 ○前田就彦・廣木正伸・佐々木 智・原田裕一（NTT）  ED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106 |
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| 抄録 | （和） | リセスゲート構造を用いたE-mode用のAlGaN/GaNヘテロ構造FET（HFET）において、高電流化およびデバイス作製上有利なAlGaN障壁層構造（促進障壁層構造）を考案し、デバイスの作製と評価を行った。促進障壁層構造は、AlGaN障壁層中にAl組成のより高い薄層AlGaN層を挿入した障壁層構造で、挿入層によって電子濃度が増大されるという効果が確認された。促進障壁層を用いたリセスゲート構造において、リセス領域において挿入層が除去された構造を用いることにより、リセス領域と非リセス領域との電子濃度差が拡大され、高電流化およびデバイス作製上有利となる。このような促進障壁層構造を、E-mode動作に必要な電子の空乏化に有利なダブルヘテロ構造のGaNチャネルに対して適用したMIS構造（絶縁ゲート構造）のデバイスを作製したところ、しきい値+3.6V、ドレイン電流密度620 mA/mmなる良好なE-mode動作が得られた。 |
| （英） | In recessed-gate AlGaN/GaN Heterostructure field-effect transistors (HFETs) for E-mode operation, enhanced-barrier structures have been proposed that are favorable for attaining a higher drain current density and advantageous for E-mode device fabrication. In the proposed enhanced-barrier structures, a thin AlGaN layer with a higher Al composition is inserted into the AlGaN barrier, with the inserted layer removed in the recessed region. This enlarges the difference in the electron density in recessed and non-recessed regions, since the electron density was confirmed to increase by the inserted layer. The enhanced-barrier structures were applied to a double-heterostructure GaN channel, which helps depletion of channel electrons and hence favorable for higher threshold voltage. The fabricated devices employing MIS (insulated-gate) structure exhibited an excellent E-mode operation with a threshold voltage of +3.6 V and a drain current density of 620 mA/mm. | |
| キーワード | （和） | GaNヘテロ構造FET / E-mode / リセスゲート構造 / 促進障壁層構造 / MIS構造 / ダブルヘテロ構造 / / |
| （英） | GaN HFET / E-mode / recessed-gate / enhanced-barrier structure / MIS structure / double-heterostructure channel / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-106, pp. 49-54, 2011年11月. | |
| 資料番号 | LQE2011-106 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-83 CPM2011-132 LQE2011-106 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of AlGaN/GaN E-mode HFETs with Enhanced Barrier Structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaNヘテロ構造FET / GaN HFET |
| キーワード(2)（和/英） | E-mode / E-mode |
| キーワード(3)（和/英） | リセスゲート構造 / recessed-gate |
| キーワード(4)（和/英） | 促進障壁層構造 / enhanced-barrier structure |
| キーワード(5)（和/英） | MIS構造 / MIS structure |
| キーワード(6)（和/英） | ダブルヘテロ構造 / double-heterostructure channel |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 就彦 / Narihiko Maeda / マエダ ナリヒコ |
| 第1著者 所属（和/英） | NTT (略称： NTT) NTT (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣木 正伸 / Masanobu Hiroki / ヒロキ マサノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | NTT (略称： NTT) NTT (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々木 智 / Satoshi Sasaki / ササキ サトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | NTT (略称： NTT) NTT (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原田 裕一 / Yuichi Harada / ハラダ ユウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | NTT (略称： NTT) NTT (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-17 15:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2011-83, CPM2011-132, LQE2011-106 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.49-54 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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