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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-17 12:55 硬さ制御に基づく高表面品質、低転位GaN自立基板の実現 ○藤倉序章・大島祐一・吉田丈洋・目黒 健・斉藤俊也（日立電線）  ED2011-77 CPM2011-126 LQE2011-100 |
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| 抄録 | （和） | 我々の開発したボイド形成剥離法（Void-Assisted Separation; VAS法）において、GaN自立基板成長でしばしば報告されるμｍ～ｍｍ寸法の表面欠陥（ピット、インバージョンドメイン等）を効果的に抑制することに成功した。これらの表面欠陥を無くした場合には、表面欠陥の存在による応力緩和の効果が失われるため、過大な応力の蓄積により成長中に新たな転位が発生する。このため、転位密度を106/cm2台中盤よりも低くするのが困難となる。この限界を、材料固有の物性と思われていたGaN結晶の硬さ（塑性変形し難さ）の制御により克服し、表面欠陥の無いGaN自立基板においても転位密度を105/cm2台にまで低減することに成功した。 |
| （英） | In the growth of freestanding GaN substrates using our void-assisted separation (VAS) method, we have effectively suppressed m to mm-sized surface defects, which have been frequently reported in literatures. However, it was found that, without stress relaxation by such surface defects, reduction of dislocation density below mid-106/cm2 became difficult due to generation of new dislocations through stress accumulation. This difficulty was overcome by controlling a seemingly intrinsic property, hardness, of the GaN crystal, leading to further reduction of the dislocation density down to 105/cm2 range even in the growth of freestanding GaN substrates without the surface defects. | |
| キーワード | （和） | GaN自立基板 / 表面欠陥 / 転位密度 / ナノインデンテーション / 硬さ / / / |
| （英） | freestanding GaN substrate / surface defect / dislocation density / nano-indentation / hardness / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 290, ED2011-77, pp. 19-24, 2011年11月. | |
| 資料番号 | ED2011-77 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-77 CPM2011-126 LQE2011-100 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 硬さ制御に基づく高表面品質、低転位GaN自立基板の実現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Realization of Freestanding GaN Substrates with High Surface Quality and Low Dislocation Density by Crystal Hardness Control |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN自立基板 / freestanding GaN substrate |
| キーワード(2)（和/英） | 表面欠陥 / surface defect |
| キーワード(3)（和/英） | 転位密度 / dislocation density |
| キーワード(4)（和/英） | ナノインデンテーション / nano-indentation |
| キーワード(5)（和/英） | 硬さ / hardness |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤倉 序章 / Hajime Fujikura / フジクラ ハジメ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立電線(株) (略称： 日立電線) Hitachi Cable, Ltd. (略称： Hitachi Cable) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 祐一 / Yuichi Oshima / オオシマ ユウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立電線(株) (略称： 日立電線) Hitachi Cable, Ltd. (略称： Hitachi Cable) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 丈洋 / Takehiro Yoshida / ヨシダ タケヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立電線(株) (略称： 日立電線) Hitachi Cable, Ltd. (略称： Hitachi Cable) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 目黒 健 / Takeshi Megro / メグロ タケシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立電線(株) (略称： 日立電線) Hitachi Cable, Ltd. (略称： Hitachi Cable) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 斉藤 俊也 / Toshiya Saito / サイトウ トシヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日立電線(株) (略称： 日立電線) Hitachi Cable, Ltd. (略称： Hitachi Cable) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-17 12:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-77, CPM2011-126, LQE2011-100 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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