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講演抄録/キーワード
講演名 2011-11-17 16:45
ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
西森理人牧山剛三多木俊裕山田敦史今西健治吉川俊英原 直紀渡部慶二富士通研ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-108, pp. 61-65, 2011年11月.
資料番号 LQE2011-108 
発行日 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2011-11-17 - 2011-11-18 
開催地(和) 京都大学桂キャンパス 桂ホール 
開催地(英) Katsura Hall,Kyoto Univ. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2011-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Si Ion Implantated GaN-HEMT for Millimeter-Wave Applications 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西森 理人 / Masato Nishimori / ニシモリ マサト
第1著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu Lab.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧山 剛三 / Kozo Makiyama / マキヤマ コウゾウ
第2著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu Lab.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 多木 俊裕 / Toshihiro Ohki / オオキ トシヒロ
第3著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu Lab.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 敦史 / Atsushi Yamada / ヤマダ アツシ
第4著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu Lab.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 今西 健治 / Kenji Imanishi / イマニシ ケンジ
第5著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu Lab.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉川 俊英 / Toshihide Kikkawa / キッカワ トシヒデ
第6著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu Lab.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ
第7著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu Lab.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 慶二 / Keiji Watanabe / ワタナベ ケイジ
第8著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu Lab.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-11-17 16:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2011-85, CPM2011-134, LQE2011-108 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) 
ページ範囲 pp.61-65 
ページ数
発行日 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) 


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