| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2011-11-17 16:45
ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討 ○西森理人・牧山剛三・多木俊裕・山田敦史・今西健治・吉川俊英・原 直紀・渡部慶二(富士通研) ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108 |
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| 文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-108, pp. 61-65, 2011年11月. |
| 資料番号 |
LQE2011-108 |
| 発行日 |
2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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