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講演抄録/キーワード
講演名 2011-11-18 13:10
m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製
前田哲利平山秀樹藤川紗千恵理研ED2011-94 CPM2011-143 LQE2011-117
抄録 (和) m軸およびa軸オフ角0.15°のc面(0001)サファイア基板上の、MOCVDによるAlN結晶成長の特徴を比較調査した。m軸オフ角サファイア基板上のAlN表面にはマクロステップが生成し、a軸オフ角はマクロステップができないことが分かった。オフ角が小さければa軸オフ角ではマクロステップができないことはすでに知られているが、m軸オフ角のマクロステップについてはあまりよく知られていない。また、このように作製したAlNテンプレート上にMOCVD法を用いて、高効率AlGaN深紫外LEDを作製した。ピーク波長は、a軸オフが270nmとm軸オフが277nmであった。また、最高EQEはそれぞれ3.8%と3.2%であった。 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) 深紫外LED / AlGaN / AlN / MOCVD / マクロステップ / サファイア / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-117, pp. 107-112, 2011年11月.
資料番号 LQE2011-117 
発行日 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2011-94 CPM2011-143 LQE2011-117

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2011-11-17 - 2011-11-18 
開催地(和) 京都大学桂キャンパス 桂ホール 
開催地(英) Katsura Hall,Kyoto Univ. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2011-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation for chracteristics of AlN growth depending on m- and a-axis oriented off-angle of c-sapphire substrate and fabrication of high-efficiency AlGaN Deep-UV LEDs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 深紫外LED /  
キーワード(2)(和/英) AlGaN /  
キーワード(3)(和/英) AlN /  
キーワード(4)(和/英) MOCVD /  
キーワード(5)(和/英) マクロステップ /  
キーワード(6)(和/英) サファイア /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 哲利 / Noritoshi Maeda / マエダ ノリトシ
第1著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
The Institute of Physical and Chemical Research (略称: RIKEN)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ
第2著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
The Institute of Physical and Chemical Research (略称: RIKEN)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤川 紗千恵 / Sachie Fujikawa / フジカワ サチエ
第3著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
The Institute of Physical and Chemical Research (略称: RIKEN)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-11-18 13:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2011-94, CPM2011-143, LQE2011-117 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) 
ページ範囲 pp.107-112 
ページ数
発行日 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) 


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